Bibliothèque de Faculté de Physique
Catégorie 05-11-Physique des Matériaux.
Documents disponibles dans cette catégorie (17)
Affiner la recherche Interroger des sources externesCaractérisation expérimentale des matériaux, 1. Caractérisation expérimentale des matériaux
![]()
Titre de série : Caractérisation expérimentale des matériaux, 1 Titre : Caractérisation expérimentale des matériaux : Propriétés physiques, thermiques et mécaniques Type de document : texte imprimé Auteurs : Suzanne Degallaix-Moreuil (1947-....), Directeur de publication ; Bernhard Ilschner (1928-2006), Directeur de publication Editeur : Lausanne : Presses polytechniques et universitaires romandes Année de publication : 2007 Autre Editeur : [Paris] : diff. Geodif Collection : Traité des matériaux num. 2 Importance : 1 vol. (XIV-402 p.) Présentation : ill., couv. ill. Format : 25 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-88074-567-7 Prix : 66 EUR Note générale : Notes bibliogr. Index. Résumés Langues : Français (fre) Catégories : 05-11-Physique des Matériaux. Mots-clés : Matériaux : Propriétés mécaniques
Matériaux : RechercheIndex. décimale : 05-11-06fp Résumé : L'utilisation de matériaux structuraux dans l'industrie nécessite une bonne connaissance de leurs propriétés d'usage, afin de répondre au mieux aux contraintes sévères imposées dans les principaux secteurs industriels modernes (énergie, construction aéronautique et automobile, etc.), tant en termes de qualité et de poids, que de sécurité et de covªt.Cet ouvrage offre une vue aussi large que possible des principales méthodes expérimentales de caractérisations chimique, thermique et mécanique des matériaux utilisés pour la conception d'éléments de structure. Une attention particulière est portée sur l'étude des méthodes de caractérisation des matériaux métalliques, les cas des polymères et des céramiques étant plus spécifiquement traités dans les volumes 14 et 16 du Traité des Matériaux. Le lecteur trouvera dans ces pages les bases physiques et théoriques indispensables à une bonne compréhension de ces méthodes, ainsi qu'une présentation détaillée des moyens de mise en oeuvre des principales techniques d'analyse et de caractérisation employées dans les laboratoires de recherche et de développement. La mise en adéquation de la méthode choisie avec l'objectif visé (notamment en termes de précision, de complexité et de covªt) est tout particulièrement soulignée. L'ouvrage se clôt par une présentation des techniques de contrôle non destructif des matériaux, nécessaires à la vérification de la qualité des matériaux ainsi que de la bonne tenue en service des structures.La rédaction de cet ouvrage pluridisciplinaire a fait intervenir de nombreux spécialistes des différentes techniques présentées. Note de contenu : Présentation du Traité des Matériaux
Avant-propos
Analyse chimique des matériaux métalliques – Caractérisation des structures des matériaux par microscopie optique – L'analyse d'images appliquée à la caractérisation des matériaux – Densimétrie et dilatométrie – Conductibilité thermique – Caractérisation des matériaux en traction monotone – Caractérisation de la dureté des matériaux – Résistance des matériaux à la fatigue – Résistance des matériaux à l'amorçage et à la propagation des fissures – Résistance et ductilité à moyennes et hautes vitesses de déformation – Essais mécaniques à haute température – Caractérisation des polymères – Caractérisation mécanique des céramiques – Essais non destructifs – Index thématique
Biographie des auteurs.Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2376 Caractérisation expérimentale des matériaux, 1. Caractérisation expérimentale des matériaux : Propriétés physiques, thermiques et mécaniques [texte imprimé] / Suzanne Degallaix-Moreuil (1947-....), Directeur de publication ; Bernhard Ilschner (1928-2006), Directeur de publication . - Lausanne : Presses polytechniques et universitaires romandes : [Paris] : diff. Geodif, 2007 . - 1 vol. (XIV-402 p.) : ill., couv. ill. ; 25 cm. - (Traité des matériaux; 2) .
ISBN : 978-2-88074-567-7 : 66 EUR
Notes bibliogr. Index. Résumés
Langues : Français (fre)
Catégories : 05-11-Physique des Matériaux. Mots-clés : Matériaux : Propriétés mécaniques
Matériaux : RechercheIndex. décimale : 05-11-06fp Résumé : L'utilisation de matériaux structuraux dans l'industrie nécessite une bonne connaissance de leurs propriétés d'usage, afin de répondre au mieux aux contraintes sévères imposées dans les principaux secteurs industriels modernes (énergie, construction aéronautique et automobile, etc.), tant en termes de qualité et de poids, que de sécurité et de covªt.Cet ouvrage offre une vue aussi large que possible des principales méthodes expérimentales de caractérisations chimique, thermique et mécanique des matériaux utilisés pour la conception d'éléments de structure. Une attention particulière est portée sur l'étude des méthodes de caractérisation des matériaux métalliques, les cas des polymères et des céramiques étant plus spécifiquement traités dans les volumes 14 et 16 du Traité des Matériaux. Le lecteur trouvera dans ces pages les bases physiques et théoriques indispensables à une bonne compréhension de ces méthodes, ainsi qu'une présentation détaillée des moyens de mise en oeuvre des principales techniques d'analyse et de caractérisation employées dans les laboratoires de recherche et de développement. La mise en adéquation de la méthode choisie avec l'objectif visé (notamment en termes de précision, de complexité et de covªt) est tout particulièrement soulignée. L'ouvrage se clôt par une présentation des techniques de contrôle non destructif des matériaux, nécessaires à la vérification de la qualité des matériaux ainsi que de la bonne tenue en service des structures.La rédaction de cet ouvrage pluridisciplinaire a fait intervenir de nombreux spécialistes des différentes techniques présentées. Note de contenu : Présentation du Traité des Matériaux
Avant-propos
Analyse chimique des matériaux métalliques – Caractérisation des structures des matériaux par microscopie optique – L'analyse d'images appliquée à la caractérisation des matériaux – Densimétrie et dilatométrie – Conductibilité thermique – Caractérisation des matériaux en traction monotone – Caractérisation de la dureté des matériaux – Résistance des matériaux à la fatigue – Résistance des matériaux à l'amorçage et à la propagation des fissures – Résistance et ductilité à moyennes et hautes vitesses de déformation – Essais mécaniques à haute température – Caractérisation des polymères – Caractérisation mécanique des céramiques – Essais non destructifs – Index thématique
Biographie des auteurs.Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2376 Réservation
Réserver ce document
Exemplaires(2)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 239 05-11-06fp Livre Bibliothèque de La faculté de physique 04Electricité . Accès Libre
Disponible240 05-11-06fp Livre Bibliothèque de La faculté de physique 04Electricité . Accès Libre
Disponible
Titre : Cristallographie et diffraction : application à la diffraction électronique, cours et exercices corrigés Type de document : texte imprimé Auteurs : Claude Esnouf, Auteur Editeur : Paris : Ellipses Année de publication : 2018 Collection : Technosup Importance : 1 vol. (XI-220 p.) Présentation : ill. Format : 26 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-340-02338-3 Note générale : Notes bibliogr. et webliogr. Index Langues : Français (fre) Catégories : 05-11-Physique des Matériaux. Mots-clés : Électrons Diffraction Manuels d'enseignement supérieur Cristallographie Index. décimale : 05-11-26fp Résumé : Consacré à la diffraction par les cristaux, l'ouvrage développe en application une présentation théorique et technologique des techniques basées sur la seule diffraction des électrons.
Destiné d'abord aux seconds cycles des Universités et aux Écoles d'ingénieurs, il ne fait appel qu'aux notions de physique exposées en classes préparatoires. Il permet néanmoins une lecture à deux niveaux : un niveau découverte et un niveau approfondissement (sans toutefois aller jusqu'à présenter des développements très en pointe), pour des lecteurs désireux de compléter leur formation initiale ou de revisiter des méthodes plus actuelles.
L'ouvrage comporte cinq chapitres :
• Le premier chapitre est un rappel des notions de cristallographie, avec pour objectif pragmatique d'accéder à la lecture des Tables Internationales de Cristallographie, qui regroupent toutes les notions utiles à l'analyse des clichés de diffraction.
• Le deuxième chapitre développe les phénomènes spécifiques de diffraction due au rayonnement électronique.
• Le troisième présente les instruments utilisés, leurs caractéristiques et leur environnement technologique.
• Les deux derniers chapitres exposent les différentes méthodes de diffraction en transmission (chap. 4) et en réflexion (chap. 5).
• Une série d'exercices et leurs solutions concluent l'ouvrage.Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=497 Cristallographie et diffraction : application à la diffraction électronique, cours et exercices corrigés [texte imprimé] / Claude Esnouf, Auteur . - Paris : Ellipses, 2018 . - 1 vol. (XI-220 p.) : ill. ; 26 cm. - (Technosup) .
ISBN : 978-2-340-02338-3
Notes bibliogr. et webliogr. Index
Langues : Français (fre)
Catégories : 05-11-Physique des Matériaux. Mots-clés : Électrons Diffraction Manuels d'enseignement supérieur Cristallographie Index. décimale : 05-11-26fp Résumé : Consacré à la diffraction par les cristaux, l'ouvrage développe en application une présentation théorique et technologique des techniques basées sur la seule diffraction des électrons.
Destiné d'abord aux seconds cycles des Universités et aux Écoles d'ingénieurs, il ne fait appel qu'aux notions de physique exposées en classes préparatoires. Il permet néanmoins une lecture à deux niveaux : un niveau découverte et un niveau approfondissement (sans toutefois aller jusqu'à présenter des développements très en pointe), pour des lecteurs désireux de compléter leur formation initiale ou de revisiter des méthodes plus actuelles.
L'ouvrage comporte cinq chapitres :
• Le premier chapitre est un rappel des notions de cristallographie, avec pour objectif pragmatique d'accéder à la lecture des Tables Internationales de Cristallographie, qui regroupent toutes les notions utiles à l'analyse des clichés de diffraction.
• Le deuxième chapitre développe les phénomènes spécifiques de diffraction due au rayonnement électronique.
• Le troisième présente les instruments utilisés, leurs caractéristiques et leur environnement technologique.
• Les deux derniers chapitres exposent les différentes méthodes de diffraction en transmission (chap. 4) et en réflexion (chap. 5).
• Une série d'exercices et leurs solutions concluent l'ouvrage.Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=497 Réservation
Réserver ce document
Exemplaires(1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 588 05-11-26fp Livre Bibliothèque de La faculté de physique 04Electricité . Accès Libre
Disponible
Titre : Cristallographie géométrique et radiocristallographie : cours et exercices corrigés Type de document : texte imprimé Auteurs : Jean-Jacques Rousseau (1942-....), Auteur ; Alain Gibaud (1956-....), Auteur Mention d'édition : 3e éd. Editeur : Paris : Dunod Année de publication : impr. 2007 Collection : Sciences sup, ISSN 1636-2217 Importance : 1 vol. (XVI-366 p.) Présentation : ill., couv. ill. en coul. Format : 24 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-10-050198-4 Note générale : La couv. porte en plus : "licence 3, master, écoles d'ingénieurs"
Bibliogr. p. 361-362. IndexLangues : Français (fre) Catégories : 05-11-Physique des Matériaux. Mots-clés : Cristallographie Manuels d'enseignement supérieur Index. décimale : 548 Résumé : Ce manuel introduit les principes de base de la cristallographie géométrique, par l'étude des réseaux, des opérations de symétrie, du dénombrement et de la construction des groupes ponctuels et des groupes d'espace. L'ouvrage se consacre aussi à la radiocristallographie en décrivant la production des rayons X et leurs propriétés, avec l'étude de la diffraction. Des applications et des exercices corrigés illustrent les points importants du cours. Cette 3 e édition, entièrement revue, intègre les nouvelles techniques de détermination des structures cristallines comme la réflectométrie X et les nouveaux détecteurs utilisés dans le domaine des nanotechnologies. Sur le web, en complément à l'ouvrage sont proposés un atlas des formes cristallographiques et un programme de visualisation et de simulation. Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=520 Cristallographie géométrique et radiocristallographie : cours et exercices corrigés [texte imprimé] / Jean-Jacques Rousseau (1942-....), Auteur ; Alain Gibaud (1956-....), Auteur . - 3e éd. . - Paris : Dunod, impr. 2007 . - 1 vol. (XVI-366 p.) : ill., couv. ill. en coul. ; 24 cm. - (Sciences sup, ISSN 1636-2217) .
ISBN : 978-2-10-050198-4
La couv. porte en plus : "licence 3, master, écoles d'ingénieurs"
Bibliogr. p. 361-362. Index
Langues : Français (fre)
Catégories : 05-11-Physique des Matériaux. Mots-clés : Cristallographie Manuels d'enseignement supérieur Index. décimale : 548 Résumé : Ce manuel introduit les principes de base de la cristallographie géométrique, par l'étude des réseaux, des opérations de symétrie, du dénombrement et de la construction des groupes ponctuels et des groupes d'espace. L'ouvrage se consacre aussi à la radiocristallographie en décrivant la production des rayons X et leurs propriétés, avec l'étude de la diffraction. Des applications et des exercices corrigés illustrent les points importants du cours. Cette 3 e édition, entièrement revue, intègre les nouvelles techniques de détermination des structures cristallines comme la réflectométrie X et les nouveaux détecteurs utilisés dans le domaine des nanotechnologies. Sur le web, en complément à l'ouvrage sont proposés un atlas des formes cristallographiques et un programme de visualisation et de simulation. Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=520 Réservation
Réserver ce document
Exemplaires(2)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 3423 05-11-12fs Livre Bibliothèque de La faculté de physique 04Electricité . Accès Libre
Disponible3424 05-11-12fs Livre Bibliothèque de La faculté de physique 04Electricité . Accès Libre
Disponible
Titre : Electron-beam interactions with solids : Application of the Monte Carlo method to electron scattering problems Type de document : texte imprimé Auteurs : Maurizio Dapor, Auteur Editeur : Berlin : Springer Année de publication : 2003 Collection : Springer tracts in modern physics, ISSN 0081-3869 num. 186 Importance : 1 vol. (103 p.) Présentation : ill Format : 25 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-3-540-00652-7 Note générale : index Langues : Anglais (eng) Catégories : 05-11-Physique des Matériaux. Mots-clés : Electrons Scattering Monte Carlo method Monte-Carlo, M?ethode de ?Electrons Diffusion Index. décimale : 05-11-10fs Résumé : The interaction of an electron beam with a solid target has been studied since the early part of the past century. Since 1960, the electron–solid interaction hasbecomethesubjectofanumberofinvestigators’workowingtoitsfun- mental role in scanning electron microscopy, in electron-probe microanalysis, in Auger electron spectroscopy, in electron-beam lithography and in radiation damage. The interaction of an electron beam with a solid target has often been investigated theoretically by using the Monte Carlo method, a nume- cal procedure involving random numbers that is able to solve mathematical problems. This method is very useful for the study of electron penetration in matter. The probabilistic laws of the interaction of an individual electron with the atoms constituting the target are well known. Consequently, it is possible to compute the macroscopic characteristics of interaction processes by simulating a large number of real trajectories, and then averaging them. The aim of this book is to study the probabilistic laws of the interaction of individual electrons with atoms (elastic and inelastic cross-sections); to - vestigate selected aspects of electron interaction with matter (backscattering coe?cients for bulk targets, absorption, backscattering and transmission for both supported and unsupported thin ?lms, implantation pro?les, seconda- electron emission, and so on); and to introduce the Monte Carlo method and its applications to compute the macroscopic characteristics of the inter- tion processes mentioned above. The book compares theory, computational simulations and experimental data in order to o?er a more global vision. Note de contenu : Introduction
Le spin de l'électron
Diffusion élastique
Diffusion inélastique
Électrons impactant des cibles solides
Simulations de Monte-Carlo
Matrices et opérateurs
La notation Dirac
Fonctions spécialesEn ligne : https://archive.org/details/springer_10.1007-3-540-36507-9/page/n5/mode/2up Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=516 Electron-beam interactions with solids : Application of the Monte Carlo method to electron scattering problems [texte imprimé] / Maurizio Dapor, Auteur . - Berlin : Springer, 2003 . - 1 vol. (103 p.) : ill ; 25 cm. - (Springer tracts in modern physics, ISSN 0081-3869; 186) .
ISBN : 978-3-540-00652-7
index
Langues : Anglais (eng)
Catégories : 05-11-Physique des Matériaux. Mots-clés : Electrons Scattering Monte Carlo method Monte-Carlo, M?ethode de ?Electrons Diffusion Index. décimale : 05-11-10fs Résumé : The interaction of an electron beam with a solid target has been studied since the early part of the past century. Since 1960, the electron–solid interaction hasbecomethesubjectofanumberofinvestigators’workowingtoitsfun- mental role in scanning electron microscopy, in electron-probe microanalysis, in Auger electron spectroscopy, in electron-beam lithography and in radiation damage. The interaction of an electron beam with a solid target has often been investigated theoretically by using the Monte Carlo method, a nume- cal procedure involving random numbers that is able to solve mathematical problems. This method is very useful for the study of electron penetration in matter. The probabilistic laws of the interaction of an individual electron with the atoms constituting the target are well known. Consequently, it is possible to compute the macroscopic characteristics of interaction processes by simulating a large number of real trajectories, and then averaging them. The aim of this book is to study the probabilistic laws of the interaction of individual electrons with atoms (elastic and inelastic cross-sections); to - vestigate selected aspects of electron interaction with matter (backscattering coe?cients for bulk targets, absorption, backscattering and transmission for both supported and unsupported thin ?lms, implantation pro?les, seconda- electron emission, and so on); and to introduce the Monte Carlo method and its applications to compute the macroscopic characteristics of the inter- tion processes mentioned above. The book compares theory, computational simulations and experimental data in order to o?er a more global vision. Note de contenu : Introduction
Le spin de l'électron
Diffusion élastique
Diffusion inélastique
Électrons impactant des cibles solides
Simulations de Monte-Carlo
Matrices et opérateurs
La notation Dirac
Fonctions spécialesEn ligne : https://archive.org/details/springer_10.1007-3-540-36507-9/page/n5/mode/2up Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=516 Réservation
Réserver ce document
Exemplaires(1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 3622 05-11-10fs Livre Bibliothèque de La faculté de physique 04Electricité . Accès Libre
Disponible
Titre : Electronic structure and magnetism of complex materials Type de document : texte imprimé Auteurs : Singh, David Joseph, Éditeur scientifique ; Papaconstantopoulos, Dimitrios A, Éditeur scientifique Editeur : Berlin : Springer Année de publication : 2003 Collection : Springer series in materials science, ISSN 0933-033X num. 54 Importance : 1 vol. (xiv-326 p.) Présentation : ill Format : 25 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-3-540-43382-8 Langues : Anglais (eng) Catégories : 05-11-Physique des Matériaux. Mots-clés : Materiaux magnetiques Magnetisme Index. décimale : 621.3 Résumé : Ferromagnetism occurs when Mn is randomly substituted for more than about 2 percent of the cations of several III–V compound semiconductors. Although only a few host materials have been explored at present, this property is likely shared by most III–V semiconductors. In this chapter we will discuss some of the theoretical pictures that are being developed to explain the magnetic and transport properties of these materials. Our development will be based on a phenomenological model that has been used with great success to explain the sensitivity of bulk and layered (II,Mn)VI semiconductor optical properties to external magnetic fields. (Ferromagnetism does not occur for Mn in undoped II–VI hosts.) The low energy degrees of freedom in this model are holes in the semiconductor valence band and one S = 5/2 local moment for each Mn ion. En ligne : https://link.springer.com/chapter/10.1007/978-3-662-05310-2_4 Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=522 Electronic structure and magnetism of complex materials [texte imprimé] / Singh, David Joseph, Éditeur scientifique ; Papaconstantopoulos, Dimitrios A, Éditeur scientifique . - Berlin : Springer, 2003 . - 1 vol. (xiv-326 p.) : ill ; 25 cm. - (Springer series in materials science, ISSN 0933-033X; 54) .
ISBN : 978-3-540-43382-8
Langues : Anglais (eng)
Catégories : 05-11-Physique des Matériaux. Mots-clés : Materiaux magnetiques Magnetisme Index. décimale : 621.3 Résumé : Ferromagnetism occurs when Mn is randomly substituted for more than about 2 percent of the cations of several III–V compound semiconductors. Although only a few host materials have been explored at present, this property is likely shared by most III–V semiconductors. In this chapter we will discuss some of the theoretical pictures that are being developed to explain the magnetic and transport properties of these materials. Our development will be based on a phenomenological model that has been used with great success to explain the sensitivity of bulk and layered (II,Mn)VI semiconductor optical properties to external magnetic fields. (Ferromagnetism does not occur for Mn in undoped II–VI hosts.) The low energy degrees of freedom in this model are holes in the semiconductor valence band and one S = 5/2 local moment for each Mn ion. En ligne : https://link.springer.com/chapter/10.1007/978-3-662-05310-2_4 Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=522 Réservation
Réserver ce document
Exemplaires(2)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 5295 05-11-05fs Livre Bibliothèque de La faculté de physique 04Electricité . Accès Libre
Disponible3242 05-11-05fs Livre Bibliothèque de La faculté de physique 04Electricité . Accès Libre
DisponiblePermalinkPermalinkPermalinkPermalinkPermalinkPermalinkPermalinkPermalinkPermalinkPermalink


