Bibliothèque de Faculté de Physique
Catégorie 05-10-Physique des semi-conducteurs.
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Titre : Détecteurs à semi-conducteurs : principes et matériaux pour la détection et l'imagerie des rayonnements nucléaires Type de document : texte imprimé Auteurs : Jean-Pierre Ponpon, Auteur Editeur : Paris : Ellipses Année de publication : 2007 Autre Editeur : 53-Bonchamp-lès-Laval : Impr. Barnéoud Collection : Technosup Importance : 1 vol. (219 p.) Présentation : ill., couv. ill. Format : 26 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7298-3657-3 Note générale : La p. de titre et la couv. portent en plus : "électrotechnique"
Bibliogr. p. 217. IndexLangues : Français (fre) Catégories : 05-10-Physique des semi-conducteurs. Mots-clés : Détecteurs à semiconducteurs (physique nucléaire) Index. décimale : 05-10-09fs Résumé : L’ouvrage : niveau C (Écoles d’ingénieurs - Master)
À tous ceux qui ont à connaître ou à pratiquer la détection des rayonnements nucléaires dans des domaines aussi variés que la physique nucléaire, la chimie, la biologie, la médecine, l’environnement, la radioprotection… l’ouvrage propose une synthèse cohérente d’infor-mations généralement éparses. Il traite, de façon claire et précise, à la fois les aspects complémentaires de l’absorption des rayonnements, du signal qui en résulte et de son exploitation.
L’auteur explique les différents processus qui conduisent de l’absorption d’un rayonnement ionisant dans un semi-conducteur à l’exploitation de cette interaction. Il fait apparaître la diversité des modes d’utilisation possibles et l’intérêt des détecteurs à semi-conducteurs pour un très large champ d’applications. Faisant une large part à l’aspect matériau des détecteurs, il insiste sur la variété des semi-conducteurs disponibles. Il montre l’intérêt de la détection à l’aide de semi-conducteurs autres que le silicium et le germanium en effectuant une comparaison des performances atteintes au regard des applications envisagées. Parmi ces dernières il met particulièrement l’accent sur l’imagerie des rayons X, domaine dans lequel les avancées sont les plus marquantes et qui est appelé à connaître des développements importants.Note de contenu : Chapitre 1 : Rappels sur les semi-conducteurs
Chapitre II : Principes de base
Chapitre III : Exploitation des données
Chapitre IV : Matériaux pour détecteurs
Chapitre V : Détecteurs à base de germanium et de silicium
Chapitre VI : Semi-conducteurs exotiques
Chapitre VII : Performances comparées
Chapitre VIII : Méthodes de caractérisation
Annexe 1 : Compléments sur la physique des semi-conducteurs 193
Annexe 2 : Compléments sur les méthodes d'élaboration des détecteurs 201 Annexe 3 : Etalonnage en énergie d'un détecteur à semi-conducteur 215
Annexe 4 : Rappel sur les unités employées en dosimétrie 216 Bibliographie 217 Index 218En ligne : https://www.amazon.fr/D%C3%A9tecteurs-semi-conducteurs-Principes-rayonnements-nu [...] Format de la ressource électronique : https://www.amazon.fr/D%C3%A9tecteurs-semi-conducteurs-Principes-rayonnements-nucl%C3%A9aires/dp/2729836578 Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=506 Détecteurs à semi-conducteurs : principes et matériaux pour la détection et l'imagerie des rayonnements nucléaires [texte imprimé] / Jean-Pierre Ponpon, Auteur . - Paris : Ellipses : 53-Bonchamp-lès-Laval : Impr. Barnéoud, 2007 . - 1 vol. (219 p.) : ill., couv. ill. ; 26 cm. - (Technosup) .
ISBN : 978-2-7298-3657-3
La p. de titre et la couv. portent en plus : "électrotechnique"
Bibliogr. p. 217. Index
Langues : Français (fre)
Catégories : 05-10-Physique des semi-conducteurs. Mots-clés : Détecteurs à semiconducteurs (physique nucléaire) Index. décimale : 05-10-09fs Résumé : L’ouvrage : niveau C (Écoles d’ingénieurs - Master)
À tous ceux qui ont à connaître ou à pratiquer la détection des rayonnements nucléaires dans des domaines aussi variés que la physique nucléaire, la chimie, la biologie, la médecine, l’environnement, la radioprotection… l’ouvrage propose une synthèse cohérente d’infor-mations généralement éparses. Il traite, de façon claire et précise, à la fois les aspects complémentaires de l’absorption des rayonnements, du signal qui en résulte et de son exploitation.
L’auteur explique les différents processus qui conduisent de l’absorption d’un rayonnement ionisant dans un semi-conducteur à l’exploitation de cette interaction. Il fait apparaître la diversité des modes d’utilisation possibles et l’intérêt des détecteurs à semi-conducteurs pour un très large champ d’applications. Faisant une large part à l’aspect matériau des détecteurs, il insiste sur la variété des semi-conducteurs disponibles. Il montre l’intérêt de la détection à l’aide de semi-conducteurs autres que le silicium et le germanium en effectuant une comparaison des performances atteintes au regard des applications envisagées. Parmi ces dernières il met particulièrement l’accent sur l’imagerie des rayons X, domaine dans lequel les avancées sont les plus marquantes et qui est appelé à connaître des développements importants.Note de contenu : Chapitre 1 : Rappels sur les semi-conducteurs
Chapitre II : Principes de base
Chapitre III : Exploitation des données
Chapitre IV : Matériaux pour détecteurs
Chapitre V : Détecteurs à base de germanium et de silicium
Chapitre VI : Semi-conducteurs exotiques
Chapitre VII : Performances comparées
Chapitre VIII : Méthodes de caractérisation
Annexe 1 : Compléments sur la physique des semi-conducteurs 193
Annexe 2 : Compléments sur les méthodes d'élaboration des détecteurs 201 Annexe 3 : Etalonnage en énergie d'un détecteur à semi-conducteur 215
Annexe 4 : Rappel sur les unités employées en dosimétrie 216 Bibliographie 217 Index 218En ligne : https://www.amazon.fr/D%C3%A9tecteurs-semi-conducteurs-Principes-rayonnements-nu [...] Format de la ressource électronique : https://www.amazon.fr/D%C3%A9tecteurs-semi-conducteurs-Principes-rayonnements-nucl%C3%A9aires/dp/2729836578 Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=506 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 18326 05-10-09fs Livre Bibliothèque de La faculté de physique 04Electricité . Accès Libre
Disponible183267 05-10-09fs Livre Bibliothèque de La faculté de physique 04Electricité . Accès Libre
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Titre : Diffraction des rayonnements : introduction aux concepts et méthodes Type de document : texte imprimé Auteurs : Jean Protas, Auteur Editeur : Paris : Dunod Année de publication : 1999 Collection : Sciences sup, ISSN 1636-2217 Importance : XVII-308 p. Présentation : ill., couv. ill. en coul. Format : 26 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-10-004144-2 Note générale : La couv. porte en plus : "2e cycle, DEA, écoles d'ingénieurs"
IndexLangues : Français (fre) Catégories : 05-10-Physique des semi-conducteurs. Mots-clés : Diffraction Manuels d'enseignement supérieur Index. décimale : 05-10-12fs Résumé : Cet ouvrage de référence est consacré à la diffraction des rayonnements par les cristaux et aux applications qui en découlent dans la connaissance de leur structure atomique. Les concepts sont abordés de façon simple et assortis des démonstrations nécessaires à la compréhension. De nombreux exemples, souvent présentés sous forme d'exercices corrigés, permettent au lecteur de vérifier sa bonne assimilation des notions exposées. Note de contenu : Production, mécanismes d'émission et détection des rayons X
Mesures des intensités diffractées
Interaction des rayons X avec la matière
Théorie géométrique de la diffraction des rayons X par les substances cristallines et techniques de mise en œuvre
Théorie physique de la diffraction des rayons X par les cristaux
Diffraction par les solides imparfaits : cristaux et solides amorphes
Transformée de Fourier du facteur de structure
Densité électronique
Notions de sur la détermination des structures cristallines par diffraction X
Diffraction des électrons
Diffraction des neutrons par les cristaux
Aperçu sur les apports récents de la diffraction X à l'étude de la densité électronique précise dans les matériaux.Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=508 Diffraction des rayonnements : introduction aux concepts et méthodes [texte imprimé] / Jean Protas, Auteur . - Paris : Dunod, 1999 . - XVII-308 p. : ill., couv. ill. en coul. ; 26 cm. - (Sciences sup, ISSN 1636-2217) .
ISBN : 978-2-10-004144-2
La couv. porte en plus : "2e cycle, DEA, écoles d'ingénieurs"
Index
Langues : Français (fre)
Catégories : 05-10-Physique des semi-conducteurs. Mots-clés : Diffraction Manuels d'enseignement supérieur Index. décimale : 05-10-12fs Résumé : Cet ouvrage de référence est consacré à la diffraction des rayonnements par les cristaux et aux applications qui en découlent dans la connaissance de leur structure atomique. Les concepts sont abordés de façon simple et assortis des démonstrations nécessaires à la compréhension. De nombreux exemples, souvent présentés sous forme d'exercices corrigés, permettent au lecteur de vérifier sa bonne assimilation des notions exposées. Note de contenu : Production, mécanismes d'émission et détection des rayons X
Mesures des intensités diffractées
Interaction des rayons X avec la matière
Théorie géométrique de la diffraction des rayons X par les substances cristallines et techniques de mise en œuvre
Théorie physique de la diffraction des rayons X par les cristaux
Diffraction par les solides imparfaits : cristaux et solides amorphes
Transformée de Fourier du facteur de structure
Densité électronique
Notions de sur la détermination des structures cristallines par diffraction X
Diffraction des électrons
Diffraction des neutrons par les cristaux
Aperçu sur les apports récents de la diffraction X à l'étude de la densité électronique précise dans les matériaux.Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=508 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 5580 05-10-12fs Livre Bibliothèque de La faculté de physique 04Electricité . Accès Libre
Disponible5581 05-10-12fs Livre Bibliothèque de La faculté de physique 04Electricité . Accès Libre
DisponibleFilière silicium et matériaux fonctionnels pour l'optoélectronique
Titre : Filière silicium et matériaux fonctionnels pour l'optoélectronique Type de document : texte imprimé Auteurs : Gérald Roosen, Directeur de publication Editeur : Paris : Hermès science publications Année de publication : 2003 Autre Editeur : 53-Mayenne : Impr. Floch Collection : Traité EGEM, électronique, génie électrique, microsystèmes Sous-collection : Optoélectronique Importance : 391 p. Présentation : ill., couv. ill. en coul. Format : 25 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-0642-7 Note générale : Notes bibliogr. Index Langues : Français (fre) Catégories : 05-10-Physique des semi-conducteurs. Mots-clés : Dispositifs optoélectroniques Matériaux Semiconducteurs Propriétés électroniques Propriétés optiques Index. décimale : 05-10-10fs Résumé : L'optoélectronique est présente dans de multiples domaines et prend une place de plus en plus importante dans les systèmes que nous trouvons autour de nous ou utilisons chaque jour. Il y a bien sûr les télécommunications par fibres optiques, mais aussi le médical, le militaire, le micro-usinage, l'industrie automobile et aéronautique, la robotique, etc. et le multimédia où chacun de nous peut aisément se rendre compte de la place occupée par les composants optoélectroniques. Dans tous ces domaines, les progrès continuent à un rythme extrêmement rapide. L'optoélectronique est souvent définie comme une science qui résulte de l'union de l'optique et de l'électronique. Une telle définition est réductrice. En effet, s'il est vrai que la rapide évolution des composants électroniques, des sources laser et des fibres optiques a conduit à un rapprochement des technologies électroniques et optiques, le fantastique développement de l'optoélectronique n'aurait pas eu lieu sans une excellente connaissance des matériaux et une réelle maîtrise de la croissance, par exemple, couche atomique par couche atomique, d'hétérostructures de semi-conducteurs. L'optoélectronique s'appuie donc sur les quatre piliers majeurs que sont la physique du solide, l'électronique, l'optique et l'ingénierie des matériaux. L'objectif de ces deux volumes est de traiter en profondeur des principaux matériaux pour l'optoélectronique (massifs, hétérostructures, puits quantiques, nanostructures, etc.), de leurs propriétés physiques, des processus d'interaction lumière-matière mis en jeu ainsi que de leurs applications en optoélectronique, à savoir pour l'émission, le transport, la manipulation, le traitement et la détection de signaux lumineux. Cet ouvrage comprend neuf chapitres qui traitent des propriétés physiques et optoélectroniques, des techniques de mise en forme et de structuration, des fonctionnalités et des applications optoélectroniques d'un très large éventail de matériaux. La filière silicium occupe les trois premiers chapitres : les hétérostructures de silicium au chapitre 1, le silicium sur isolant au chapitre 2 et le carbure de silicium au chapitre 3. Le quatrième chapitre est consacré au diamant. Les chapitres suivants sont dédiés à des matériaux que l'on pourrait qualifier de "fonctionnels". Le chapitre 5 est consacré aux matériaux structurés périodiquement à l'échelle des longueurs d'ondes optiques, que l'on appelle cristaux photoniques ou matériaux à bandes interdites photoniques. Les deux chapitres suivants sont consacrés à la "famille" des matériaux photoréfractifs : le chapitre 6 traite des mécanismes physiques et des applications, et le chapitre 7 présente et décrit les propriétés des principaux matériaux photoréfractifs. Les matériaux magnéto-optiques linéaires et non linéaires sont l'objet du chapitre 8. Le dernier chapitre de cet ouvrage est consacré à l'important domaine des matériaux fibrés et à leurs applications, tout particulièrement pour les télécommunications optiques Note de contenu : silicium:propriètès,èlaboration et applications des alliges èpitaxiès et nanostructures
2-Silicium sur isolant:matèriaux,propriètès et applications
3-Carbure de silicium
4-Diamant et propriètès optoèlectroniques
5-Les cristaux photoniquesPermalink : index.php?lvl=notice_display&id=501 Filière silicium et matériaux fonctionnels pour l'optoélectronique [texte imprimé] / Gérald Roosen, Directeur de publication . - Paris : Hermès science publications : 53-Mayenne : Impr. Floch, 2003 . - 391 p. : ill., couv. ill. en coul. ; 25 cm. - (Traité EGEM, électronique, génie électrique, microsystèmes. Optoélectronique) .
ISBN : 978-2-7462-0642-7
Notes bibliogr. Index
Langues : Français (fre)
Catégories : 05-10-Physique des semi-conducteurs. Mots-clés : Dispositifs optoélectroniques Matériaux Semiconducteurs Propriétés électroniques Propriétés optiques Index. décimale : 05-10-10fs Résumé : L'optoélectronique est présente dans de multiples domaines et prend une place de plus en plus importante dans les systèmes que nous trouvons autour de nous ou utilisons chaque jour. Il y a bien sûr les télécommunications par fibres optiques, mais aussi le médical, le militaire, le micro-usinage, l'industrie automobile et aéronautique, la robotique, etc. et le multimédia où chacun de nous peut aisément se rendre compte de la place occupée par les composants optoélectroniques. Dans tous ces domaines, les progrès continuent à un rythme extrêmement rapide. L'optoélectronique est souvent définie comme une science qui résulte de l'union de l'optique et de l'électronique. Une telle définition est réductrice. En effet, s'il est vrai que la rapide évolution des composants électroniques, des sources laser et des fibres optiques a conduit à un rapprochement des technologies électroniques et optiques, le fantastique développement de l'optoélectronique n'aurait pas eu lieu sans une excellente connaissance des matériaux et une réelle maîtrise de la croissance, par exemple, couche atomique par couche atomique, d'hétérostructures de semi-conducteurs. L'optoélectronique s'appuie donc sur les quatre piliers majeurs que sont la physique du solide, l'électronique, l'optique et l'ingénierie des matériaux. L'objectif de ces deux volumes est de traiter en profondeur des principaux matériaux pour l'optoélectronique (massifs, hétérostructures, puits quantiques, nanostructures, etc.), de leurs propriétés physiques, des processus d'interaction lumière-matière mis en jeu ainsi que de leurs applications en optoélectronique, à savoir pour l'émission, le transport, la manipulation, le traitement et la détection de signaux lumineux. Cet ouvrage comprend neuf chapitres qui traitent des propriétés physiques et optoélectroniques, des techniques de mise en forme et de structuration, des fonctionnalités et des applications optoélectroniques d'un très large éventail de matériaux. La filière silicium occupe les trois premiers chapitres : les hétérostructures de silicium au chapitre 1, le silicium sur isolant au chapitre 2 et le carbure de silicium au chapitre 3. Le quatrième chapitre est consacré au diamant. Les chapitres suivants sont dédiés à des matériaux que l'on pourrait qualifier de "fonctionnels". Le chapitre 5 est consacré aux matériaux structurés périodiquement à l'échelle des longueurs d'ondes optiques, que l'on appelle cristaux photoniques ou matériaux à bandes interdites photoniques. Les deux chapitres suivants sont consacrés à la "famille" des matériaux photoréfractifs : le chapitre 6 traite des mécanismes physiques et des applications, et le chapitre 7 présente et décrit les propriétés des principaux matériaux photoréfractifs. Les matériaux magnéto-optiques linéaires et non linéaires sont l'objet du chapitre 8. Le dernier chapitre de cet ouvrage est consacré à l'important domaine des matériaux fibrés et à leurs applications, tout particulièrement pour les télécommunications optiques Note de contenu : silicium:propriètès,èlaboration et applications des alliges èpitaxiès et nanostructures
2-Silicium sur isolant:matèriaux,propriètès et applications
3-Carbure de silicium
4-Diamant et propriètès optoèlectroniques
5-Les cristaux photoniquesPermalink : index.php?lvl=notice_display&id=501 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 4862 05-10-10fs Livre Bibliothèque de La faculté de physique 04Electricité . Accès Libre
Disponible4863 05-10-10fs Livre Bibliothèque de La faculté de physique 04Electricité . Accès Libre
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Titre : Introduction à la physique de la matière condensée : propriétés électroniques Type de document : texte imprimé Auteurs : Adeline Crépieux,..., Auteur Editeur : Malakoff : Dunod Année de publication : 2019 Collection : Sciences sup Importance : 1 vol. (XII-276 p.) Présentation : ill. Format : 24 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-10-078944-3 Note générale : Bibliogr. p. 272-273. Index Langues : Français (fre) Catégories : 05-10-Physique des semi-conducteurs. Mots-clés : Matiere condensee Manuels d'enseignement superieur Index. décimale : 05-10-10fp Résumé : La physique de la matiere condensee, domaine qui etudie la structure et les proprietes des phases organisees de la matiere de l'echelle microscopique a l'echelle macroscopique, est l'un des champs de la physique les plus actifs aujourd'hui. A travers des exemples concrets de problemes physiques actuels, tels que les proprietes du graphene et des nanotubes de carbone ou le transport dans les nanostructures et les isolants topologiques, cet ouvrage rappelle les bases de ce domaine, de la theorie des gaz d'electrons aux proprietes des semiconducteurs, des materiaux magnetiques et des supraconducteurs, en passant par la theorie des bandes d'energie. Note de contenu : Sommaire:
Gaz d'électrons.
Rôle de la structure périodique.
Théorie des bandes.
Semiconducteurs.
Transport semi-classique.
Transport quantique.
Matériaux magnétiques.
Supraconducteurs.
Isolants topologiques.Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=483 Introduction à la physique de la matière condensée : propriétés électroniques [texte imprimé] / Adeline Crépieux,..., Auteur . - Malakoff : Dunod, 2019 . - 1 vol. (XII-276 p.) : ill. ; 24 cm. - (Sciences sup) .
ISBN : 978-2-10-078944-3
Bibliogr. p. 272-273. Index
Langues : Français (fre)
Catégories : 05-10-Physique des semi-conducteurs. Mots-clés : Matiere condensee Manuels d'enseignement superieur Index. décimale : 05-10-10fp Résumé : La physique de la matiere condensee, domaine qui etudie la structure et les proprietes des phases organisees de la matiere de l'echelle microscopique a l'echelle macroscopique, est l'un des champs de la physique les plus actifs aujourd'hui. A travers des exemples concrets de problemes physiques actuels, tels que les proprietes du graphene et des nanotubes de carbone ou le transport dans les nanostructures et les isolants topologiques, cet ouvrage rappelle les bases de ce domaine, de la theorie des gaz d'electrons aux proprietes des semiconducteurs, des materiaux magnetiques et des supraconducteurs, en passant par la theorie des bandes d'energie. Note de contenu : Sommaire:
Gaz d'électrons.
Rôle de la structure périodique.
Théorie des bandes.
Semiconducteurs.
Transport semi-classique.
Transport quantique.
Matériaux magnétiques.
Supraconducteurs.
Isolants topologiques.Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=483 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 594 05-10-10fp Livre Bibliothèque de La faculté de physique 04Electricité . Accès Libre
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Titre : Large scale simulations of complex systems, condensed matter and fusion plasma : proceedings of the BIFI 2008 international conference, Zaragoza, Spain, 6-8 February 2008 Type de document : texte imprimé Auteurs : Institute for biocomputation and phyics of complex systems International conference (3; 2008; Saragosse, Espagne), Auteur Editeur : Melville (N.Y.) : American Institute of Physics Année de publication : 2008 Collection : AIP conference proceedings, ISSN 0094-243X num. 1071 Importance : 1 vol. (X-127 p.) Présentation : ill Format : 25 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-0-7354-0602-5 Note générale : index, Langues : Anglais (eng) Catégories : 05-10-Physique des semi-conducteurs. Mots-clés : Physics Computer simulation Congresses Biology Chemistry Systemes, Theorie des Modeles math?ematiques Systemes biologiques Modeles mathematiques Index. décimale : 05-10-11fs Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=507 Large scale simulations of complex systems, condensed matter and fusion plasma : proceedings of the BIFI 2008 international conference, Zaragoza, Spain, 6-8 February 2008 [texte imprimé] / Institute for biocomputation and phyics of complex systems International conference (3; 2008; Saragosse, Espagne), Auteur . - Melville (N.Y.) : American Institute of Physics, 2008 . - 1 vol. (X-127 p.) : ill ; 25 cm. - (AIP conference proceedings, ISSN 0094-243X; 1071) .
ISBN : 978-0-7354-0602-5
index,
Langues : Anglais (eng)
Catégories : 05-10-Physique des semi-conducteurs. Mots-clés : Physics Computer simulation Congresses Biology Chemistry Systemes, Theorie des Modeles math?ematiques Systemes biologiques Modeles mathematiques Index. décimale : 05-10-11fs Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=507 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 5735 05-10-11fs Livre Bibliothèque de La faculté de physique 04Electricité . Accès Libre
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