Titre :	Materials Science and Technologiy Volume 4 : A Comprehensive Treatment / Electronic Structure and Properties of Semiconductors
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	R.W Cahn, Auteur ; Peter HAASEN, Auteur ; E.J Kramer, Auteur
Editeur :	VCH
Année de publication :	1991
Importance :	603p
Présentation :	ill
Format :	24,5cmx17,5cm
ISBN/ISSN/EAN :	978-3-527-26817-7
Langues :	Anglais (eng) Langues originales : Anglais (eng)
Catégories :	Matériaux de Construction:12 Matériaux Scientifiques
Mots-clés :	band theory appled to semiconductors  optical properties and charge transport  intrinsic point defects in semiconductors  equilibria,nonequilibria,diffusion,and precipitation  dislocation  grain boundaries in semiconductors  interfaces  thr hall effect in quantum wires  material properties of hydrogeneted amorphous silicon  high-temperature properties of 3d transition elements in silicon .

Materials Science and Technologiy Volume 4 : A Comprehensive Treatment / Electronic Structure and Properties of Semiconductors [texte imprimé] / R.W Cahn, Auteur ; Peter HAASEN, Auteur ; E.J Kramer, Auteur . - VCH, 1991 . - 603p : ill ; 24,5cmx17,5cm.
ISBN : 978-3-527-26817-7
Langues : Anglais (eng) Langues originales : Anglais (eng)

Catégories :	Matériaux de Construction:12 Matériaux Scientifiques
Mots-clés :	band theory appled to semiconductors  optical properties and charge transport  intrinsic point defects in semiconductors  equilibria,nonequilibria,diffusion,and precipitation  dislocation  grain boundaries in semiconductors  interfaces  thr hall effect in quantum wires  material properties of hydrogeneted amorphous silicon  high-temperature properties of 3d transition elements in silicon .