Bibliothèque de Faculté de Génie Mécanique IGCMO
Catégorie 02 Physique et chimie des matériaux semi-conducteurs
Documents disponibles dans cette catégorie (13)
Affiner la recherche Interroger des sources externeséléments et ensembles électriques tome 2 / ensembles D.ESTOURNET-C. BRAS- P.KLEINKNECHT -J.MIJONNET- J.C. BERTAGNA
Titre : éléments et ensembles électriques tome 2 Type de document : texte imprimé Auteurs : ensembles D.ESTOURNET-C. BRAS- P.KLEINKNECHT -J.MIJONNET- J.C. BERTAGNA, Auteur Editeur : Ecole National Supérieure de Techniques Avancées Importance : 677p Présentation : ill.; Format : 30.5cmx21.5cm Langues : Français (fre) Langues originales : Français (fre) Catégories : SEMI-CONDUCTEURS:02 Physique et chimie des matériaux semi-conducteurs Mots-clés : Les telecommunications La detection La radionavigation. Résumé : Le tome 2 de l'ouvrage « Éléments et Ensembles Électroniques » (souvent par Francis Milsant ou Larribe) est une référence technique approfondie sur les composants actifs et les fonctions analogiques. Il couvre l'étude détaillée des transistors (bipolaires, FET), l'amplification, le filtrage, les oscillateurs et les convertisseurs de puissance, avec des applications concrètes.Ce volume est destiné à compléter la théorie du signal et les composants passifs abordés dans le tome 1, offrant une compréhension approfondie des systèmes électroniques analogiques. éléments et ensembles électriques tome 2 [texte imprimé] / ensembles D.ESTOURNET-C. BRAS- P.KLEINKNECHT -J.MIJONNET- J.C. BERTAGNA, Auteur . - Ecole National Supérieure de Techniques Avancées, [s.d.] . - 677p : ill.; ; 30.5cmx21.5cm.
Langues : Français (fre) Langues originales : Français (fre)
Catégories : SEMI-CONDUCTEURS:02 Physique et chimie des matériaux semi-conducteurs Mots-clés : Les telecommunications La detection La radionavigation. Résumé : Le tome 2 de l'ouvrage « Éléments et Ensembles Électroniques » (souvent par Francis Milsant ou Larribe) est une référence technique approfondie sur les composants actifs et les fonctions analogiques. Il couvre l'étude détaillée des transistors (bipolaires, FET), l'amplification, le filtrage, les oscillateurs et les convertisseurs de puissance, avec des applications concrètes.Ce volume est destiné à compléter la théorie du signal et les composants passifs abordés dans le tome 1, offrant une compréhension approfondie des systèmes électroniques analogiques. Réservation
Réserver ce document
Exemplaires(1)
Code-barres numéro d'inventaire Cote Support Localisation Section Disponibilité 5425/6 27-02-0018 Livre Bibliothèque IGCMO Documentaires Disponible
Titre : La physique des semiconducteurts Type de document : texte imprimé Auteurs : P Kiréev, Auteur Editeur : Editions MIR Année de publication : 1975 Importance : 728p Présentation : ill Format : 22cmx14cm Langues : Français (fre) Langues originales : Russe (rus) Catégories : SEMI-CONDUCTEURS:02 Physique et chimie des matériaux semi-conducteurs Mots-clés : introduction à la théorie électronique de la conduction fondements de la théorie des bandes des semi-conducteurs statistique des électrons et des trous dans les semi-conducteurs les effets de transport dans les semi-conducteurs théorie de la diffusion des porteurs de charge la recombinaison des porteurs de charge . Résumé : le présent manuel est le contenu d'un cours qui est enseigné à la faculté des matériaux et appareil semi-conducteurs de l'institut de l'acier et des alliages,les leçons de cristallographie et de mécanique quantique professées antérieurement aident à l'assimilation de ce cours . La physique des semiconducteurts [texte imprimé] / P Kiréev, Auteur . - Editions MIR, 1975 . - 728p : ill ; 22cmx14cm.
Langues : Français (fre) Langues originales : Russe (rus)
Catégories : SEMI-CONDUCTEURS:02 Physique et chimie des matériaux semi-conducteurs Mots-clés : introduction à la théorie électronique de la conduction fondements de la théorie des bandes des semi-conducteurs statistique des électrons et des trous dans les semi-conducteurs les effets de transport dans les semi-conducteurs théorie de la diffusion des porteurs de charge la recombinaison des porteurs de charge . Résumé : le présent manuel est le contenu d'un cours qui est enseigné à la faculté des matériaux et appareil semi-conducteurs de l'institut de l'acier et des alliages,les leçons de cristallographie et de mécanique quantique professées antérieurement aident à l'assimilation de ce cours . Réservation
Réserver ce document
Exemplaires(1)
Code-barres numéro d'inventaire Cote Support Localisation Section Disponibilité 3146/3 27-02-0004 Livre Bibliothèque IGCMO Documentaires Disponible
Titre : Physics and Technology of Semiconductor Devices Type de document : texte imprimé Auteurs : A.S Grove, Auteur Editeur : John Wiley & Sons. Année de publication : 1967 Importance : 366P Présentation : ill Format : 24cmx16cm ISBN/ISSN/EAN : 978-0-471-32998-5 Langues : Anglais (eng) Langues originales : Anglais (eng) Catégories : SEMI-CONDUCTEURS:02 Physique et chimie des matériaux semi-conducteurs Mots-clés : solid -state technology semiconductor and semiconductor devices surface effects and surface-controlled devices . Résumé : Provides a comprehensive treatment of semiconductor device physics and technology, with emphasis on modern planar silicon devices. Physical principles are explained by the use of simple physical models and illustrated by experimental measurements. Physics and Technology of Semiconductor Devices [texte imprimé] / A.S Grove, Auteur . - John Wiley & Sons., 1967 . - 366P : ill ; 24cmx16cm.
ISBN : 978-0-471-32998-5
Langues : Anglais (eng) Langues originales : Anglais (eng)
Catégories : SEMI-CONDUCTEURS:02 Physique et chimie des matériaux semi-conducteurs Mots-clés : solid -state technology semiconductor and semiconductor devices surface effects and surface-controlled devices . Résumé : Provides a comprehensive treatment of semiconductor device physics and technology, with emphasis on modern planar silicon devices. Physical principles are explained by the use of simple physical models and illustrated by experimental measurements. Réservation
Réserver ce document
Exemplaires(1)
Code-barres numéro d'inventaire Cote Support Localisation Section Disponibilité 5934 27-02-0005 Livre Bibliothèque IGCMO Documentaires Disponible
Titre de série : SUP ' AERO Titre : Principes et fonctions de l'électronique integrée Tome 2 : effets de surface-circuits integrés Type de document : texte imprimé Auteurs : Jacques Boucher, Auteur ; Jean Simmone, Auteur Editeur : Cépaduès-Editions Année de publication : 1989 Importance : 272p Présentation : ill Format : 24cmx17cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-85428-073-9 Langues : Français (fre) Langues originales : Français (fre) Catégories : SEMI-CONDUCTEURS:02 Physique et chimie des matériaux semi-conducteurs Mots-clés : la capacité MOS transistors à effets de champ circuits intégrés monolithiques . Résumé : ce deuxième volume d'une trilogie dont les auteurs avaient précisé la philosophie dans l'introduction générale du premier tome,arrive à l'heure ou la microélectronique confirme être l'un des cas faits techniques marquant de cette seconde moitié du vingtième siècle . SUP ' AERO. Principes et fonctions de l'électronique integrée Tome 2 : effets de surface-circuits integrés [texte imprimé] / Jacques Boucher, Auteur ; Jean Simmone, Auteur . - Cépaduès-Editions, 1989 . - 272p : ill ; 24cmx17cm.
ISBN : 978-2-85428-073-9
Langues : Français (fre) Langues originales : Français (fre)
Catégories : SEMI-CONDUCTEURS:02 Physique et chimie des matériaux semi-conducteurs Mots-clés : la capacité MOS transistors à effets de champ circuits intégrés monolithiques . Résumé : ce deuxième volume d'une trilogie dont les auteurs avaient précisé la philosophie dans l'introduction générale du premier tome,arrive à l'heure ou la microélectronique confirme être l'un des cas faits techniques marquant de cette seconde moitié du vingtième siècle . Réservation
Réserver ce document
Exemplaires(1)
Code-barres numéro d'inventaire Cote Support Localisation Section Disponibilité 89022 27-02-0013 Livre Bibliothèque IGCMO Documentaires Disponible
Titre : Physique des composants actifs à semiconducteurs Type de document : texte imprimé Auteurs : Philippe Leturcq ; Gérard Rey, Auteur Importance : 166p Présentation : ill.; Format : 24cm × 15cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-04-010385-9 Langues : Français (fre) Langues originales : Français (fre) Catégories : SEMI-CONDUCTEURS:02 Physique et chimie des matériaux semi-conducteurs Mots-clés : Circuits intégrés Transition Semiconducteurs Diodes Jonctions Résumé : Ce livre s'adresse principalement aux étudiants de 2e cycle des universités et aux écoles d'ingénieurs.apres quelques rappels de physique électronique des semiconducteurs et introduction a la physique des dispositifs proprement dite,sont succesivement abordées l'"tude des jonctions,diodes et redresseurs jonction PN,contact schottky,puis celle de dispositifs a injection trannsistor bipolaire,thyristor,et enfincelle des composants a effet de champ GFET,MOST,dispositif a transfert de charge.un chapitre est consacré a la technologie des composants a semicondusteurs;par ailleurs les circuits intégr"s le bruit de fond et les composants del'optoélectronique font lobjet d'un chapitre complémentaire.tout au long de l'ouvrage ,les auteurs se sont attachées ,a maintenir un équilibre entre la physique,la technologieet l'électronique,dont l'intersectionconstitue précisément la physiquedes composants Physique des composants actifs à semiconducteurs [texte imprimé] / Philippe Leturcq ; Gérard Rey, Auteur . - [s.d.] . - 166p : ill.; ; 24cm × 15cm.
ISBN : 978-2-04-010385-9
Langues : Français (fre) Langues originales : Français (fre)
Catégories : SEMI-CONDUCTEURS:02 Physique et chimie des matériaux semi-conducteurs Mots-clés : Circuits intégrés Transition Semiconducteurs Diodes Jonctions Résumé : Ce livre s'adresse principalement aux étudiants de 2e cycle des universités et aux écoles d'ingénieurs.apres quelques rappels de physique électronique des semiconducteurs et introduction a la physique des dispositifs proprement dite,sont succesivement abordées l'"tude des jonctions,diodes et redresseurs jonction PN,contact schottky,puis celle de dispositifs a injection trannsistor bipolaire,thyristor,et enfincelle des composants a effet de champ GFET,MOST,dispositif a transfert de charge.un chapitre est consacré a la technologie des composants a semicondusteurs;par ailleurs les circuits intégr"s le bruit de fond et les composants del'optoélectronique font lobjet d'un chapitre complémentaire.tout au long de l'ouvrage ,les auteurs se sont attachées ,a maintenir un équilibre entre la physique,la technologieet l'électronique,dont l'intersectionconstitue précisément la physiquedes composants Réservation
Réserver ce document
Exemplaires(1)
Code-barres numéro d'inventaire Cote Support Localisation Section Disponibilité 4532 27-02-0002 Livre Bibliothèque IGCMO Documentaires Disponible
