Designing with Field-Effect Transistors / Arthur D. Evans

Public ISBD Titre : Designing with Field-Effect Transistors : 1st Edition Type de document : texte imprimé Auteurs : Arthur D. Evans, Auteur Editeur : McGraw Hill Higher Education Année de publication : 1981 Importance : 293 p Présentation : ill., Format : 15.5 cm x 23.5 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-0-07-057449-6 Langues : Français (fre) Langues originales : Anglais (eng) Catégories : ELECTRONIQUE:01 Electronique Génerale Mots-clés : JFET ( Transistor à effet de champ à jonction )  MOSFET ( Transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur )  canal N / canal P  tension de pincement ( Pinch-off tension )  courant de saturation drain-source  transconductance directe  impédance d'entrée élevée  capacités parasites. Résumé : cet ouvrage fait le lien entre la physique académique et la conception de bancs d'essai en laboratoire. Il porte principalement sur : Principes fondamentaux des transistors à effet de champ (FET) : Analyse approfondie des principes de fonctionnement des transistors à effet de champ à jonction (JFET) et des transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET). Polarisation et linéarité : méthodologies détaillées pour établir des points de fonctionnement stables et minimiser la distorsion du signal. Conception de circuits d'amplification : Guide étape par étape pour la conception de préamplificateurs audio et radiofréquence (RF) à faible bruit et à haute impédance d'entrée. Commutation analogique : configurations pratiques utilisant des transistors FET comme commutateurs commandés en tension à haute isolation et multiplexeurs analogiques. Applications de puissance et de circuits intégrés : Architectures FET de puissance de première génération et introduction au déploiement de topologies FET dans les circuits intégrés. Designing with Field-Effect Transistors : 1st Edition [texte imprimé] / Arthur D. Evans, Auteur . - McGraw Hill Higher Education, 1981 . - 293 p : ill., ; 15.5 cm x 23.5 cm. ISBN : 978-0-07-057449-6 Langues : Français (fre) Langues originales : Anglais (eng) Catégories : ELECTRONIQUE:01 Electronique Génerale Mots-clés : JFET ( Transistor à effet de champ à jonction )  MOSFET ( Transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur )  canal N / canal P  tension de pincement ( Pinch-off tension )  courant de saturation drain-source  transconductance directe  impédance d'entrée élevée  capacités parasites. Résumé : cet ouvrage fait le lien entre la physique académique et la conception de bancs d'essai en laboratoire. Il porte principalement sur : Principes fondamentaux des transistors à effet de champ (FET) : Analyse approfondie des principes de fonctionnement des transistors à effet de champ à jonction (JFET) et des transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET). Polarisation et linéarité : méthodologies détaillées pour établir des points de fonctionnement stables et minimiser la distorsion du signal. Conception de circuits d'amplification : Guide étape par étape pour la conception de préamplificateurs audio et radiofréquence (RF) à faible bruit et à haute impédance d'entrée. Commutation analogique : configurations pratiques utilisant des transistors FET comme commutateurs commandés en tension à haute isolation et multiplexeurs analogiques. Applications de puissance et de circuits intégrés : Architectures FET de puissance de première génération et introduction au déploiement de topologies FET dans les circuits intégrés.

Réservation

Réserver ce document

Exemplaires(1)

Code-barres	numéro d'inventaire	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
5032	09-01-0061	Livre	Bibliothèque IGCMO	Documentaires	Disponible

---

1 (1 - 1 / 1) Par page : 25 50 100 200