Bibliothèque de Faculté de Génie Mécanique IGCMO
Auteur Defaÿ, Emmanuel
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| Titre : |
Diélectriques ferroélectriques intégrés sur silicium |
| Type de document : |
texte imprimé |
| Auteurs : |
Defaÿ, Emmanuel, Auteur |
| Editeur : |
Hermes/ Lavoisier |
| Année de publication : |
2011 |
| Importance : |
455 p. |
| Présentation : |
ill. |
| Format : |
24x16 cm |
| ISBN/ISSN/EAN : |
978-2-7462-2562-6 |
| Langues : |
Français (fre) |
| Catégories : |
ELECTRONIQUE:01 Electronique Génerale
|
| Mots-clés : |
Diélectriques
Couches minces ferroélectriques |
| Résumé : |
Diélectriques ferroélectriques intégrés sur silicium est un ouvrage scientifique de référence publié en juin 2011 sous la direction d'Emmanuel Defaÿ, expert au CEA-Leti. Ce livre de 455 pages détaille l'intégration des matériaux pérovskites (comme le PZT) et l'utilisation de leurs propriétés diélectriques, piézoélectriques et de stockage de mémoire au sein de la technologie silicium.L'ouvrage couvre l'état de l'art concernant le dépôt et l'intégration de couches minces ferroélectriques sur des substrats de silicium pour le développement de microsystèmes et composants microélectroniques. Il aborde notamment |
| Note de contenu : |
L'approche thermodynamique et l'effet des contraintes sur les couches minces.Les technologies de dépôts, la mise en forme et l'analyse par diffraction des rayons X.Les caractérisations physiques, électriques et radio-fréquence.L'étude des courants de fuite, la fiabilité, les capacités intégrées et les capacités variables |
Diélectriques ferroélectriques intégrés sur silicium [texte imprimé] / Defaÿ, Emmanuel, Auteur . - Hermes/ Lavoisier, 2011 . - 455 p. : ill. ; 24x16 cm. ISBN : 978-2-7462-2562-6 Langues : Français ( fre)
| Catégories : |
ELECTRONIQUE:01 Electronique Génerale
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| Mots-clés : |
Diélectriques
Couches minces ferroélectriques |
| Résumé : |
Diélectriques ferroélectriques intégrés sur silicium est un ouvrage scientifique de référence publié en juin 2011 sous la direction d'Emmanuel Defaÿ, expert au CEA-Leti. Ce livre de 455 pages détaille l'intégration des matériaux pérovskites (comme le PZT) et l'utilisation de leurs propriétés diélectriques, piézoélectriques et de stockage de mémoire au sein de la technologie silicium.L'ouvrage couvre l'état de l'art concernant le dépôt et l'intégration de couches minces ferroélectriques sur des substrats de silicium pour le développement de microsystèmes et composants microélectroniques. Il aborde notamment |
| Note de contenu : |
L'approche thermodynamique et l'effet des contraintes sur les couches minces.Les technologies de dépôts, la mise en forme et l'analyse par diffraction des rayons X.Les caractérisations physiques, électriques et radio-fréquence.L'étude des courants de fuite, la fiabilité, les capacités intégrées et les capacités variables |
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Réservation
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Exemplaires(1)
|
3742
|
09-01-0211 |
Livre |
Bibliothèque IGCMO |
Documentaires
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Disponible |
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