Titre :	Designing with Field-Effect Transistors : 1st Edition
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	Arthur D. Evans, Auteur
Editeur :	McGraw Hill Higher Education
Année de publication :	1981
Importance :	293 p
Présentation :	ill.,
Format :	15.5 cm x 23.5 cm
ISBN/ISSN/EAN :	978-0-07-057449-6
Langues :	Français (fre) Langues originales : Anglais (eng)
Catégories :	ELECTRONIQUE:01 Electronique Génerale
Mots-clés :	JFET ( Transistor à effet de champ à jonction )  MOSFET ( Transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur )  canal N / canal P  tension de pincement ( Pinch-off tension )  courant de saturation drain-source  transconductance directe  impédance d'entrée élevée  capacités parasites.
Résumé :	cet ouvrage fait le lien entre la physique académique et la conception de bancs d'essai en laboratoire. Il porte principalement sur : Principes fondamentaux des transistors à effet de champ (FET) : Analyse approfondie des principes de fonctionnement des transistors à effet de champ à jonction (JFET) et des transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET). Polarisation et linéarité : méthodologies détaillées pour établir des points de fonctionnement stables et minimiser la distorsion du signal. Conception de circuits d'amplification : Guide étape par étape pour la conception de préamplificateurs audio et radiofréquence (RF) à faible bruit et à haute impédance d'entrée. Commutation analogique : configurations pratiques utilisant des transistors FET comme commutateurs commandés en tension à haute isolation et multiplexeurs analogiques. Applications de puissance et de circuits intégrés : Architectures FET de puissance de première génération et introduction au déploiement de topologies FET dans les circuits intégrés.

Designing with Field-Effect Transistors : 1st Edition [texte imprimé] / Arthur D. Evans, Auteur . - McGraw Hill Higher Education, 1981 . - 293 p : ill., ; 15.5 cm x 23.5 cm.
ISBN : 978-0-07-057449-6
Langues : Français (fre) Langues originales : Anglais (eng)

Catégories :	ELECTRONIQUE:01 Electronique Génerale
Mots-clés :	JFET ( Transistor à effet de champ à jonction )  MOSFET ( Transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur )  canal N / canal P  tension de pincement ( Pinch-off tension )  courant de saturation drain-source  transconductance directe  impédance d'entrée élevée  capacités parasites.
Résumé :	cet ouvrage fait le lien entre la physique académique et la conception de bancs d'essai en laboratoire. Il porte principalement sur : Principes fondamentaux des transistors à effet de champ (FET) : Analyse approfondie des principes de fonctionnement des transistors à effet de champ à jonction (JFET) et des transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET). Polarisation et linéarité : méthodologies détaillées pour établir des points de fonctionnement stables et minimiser la distorsion du signal. Conception de circuits d'amplification : Guide étape par étape pour la conception de préamplificateurs audio et radiofréquence (RF) à faible bruit et à haute impédance d'entrée. Commutation analogique : configurations pratiques utilisant des transistors FET comme commutateurs commandés en tension à haute isolation et multiplexeurs analogiques. Applications de puissance et de circuits intégrés : Architectures FET de puissance de première génération et introduction au déploiement de topologies FET dans les circuits intégrés.