Titre :	semiconductor circuit design volume 3
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	Bryan Norris, Auteur
Editeur :	texas instrument limited
Année de publication :	1974
Importance :	228 p
Présentation :	ill.
Format :	31x21.5 cm
ISBN/ISSN/EAN :	978-0-904047-02-8
Langues :	Anglais (eng)
Catégories :	SEMI-CONDUCTEURS:01.Technologie des matériaux à semi-conducteur
Mots-clés :	semiconductor circuit design
Résumé :	Semiconductor Circuit Design, Volume 3 (édité par Bryan Norris, Texas Instruments) est un ouvrage technique publié en 1977. Il se concentre sur les applications pratiques des semi-conducteurs, notamment les circuits intégrés MOS, les circuits bipolaires spécialisés, les transistors à effet de champ (FET) et les applications de puissance à haute fréquence. Cet ouvrage s'adresse aux ingénieurs et concepteurs électroniques cherchant des solutions de circuits concrets.
Note de contenu :	Les circuits intégrés MOS. Les circuits intégrés bipolaires à usage spécial. Les transistors à effet de champ (FET). Les applications de puissance à haute fréquence

semiconductor circuit design volume 3 [texte imprimé] / Bryan Norris, Auteur . - texas instrument limited, 1974 . - 228 p : ill. ; 31x21.5 cm.
ISBN : 978-0-904047-02-8
Langues : Anglais (eng)

Catégories :	SEMI-CONDUCTEURS:01.Technologie des matériaux à semi-conducteur
Mots-clés :	semiconductor circuit design
Résumé :	Semiconductor Circuit Design, Volume 3 (édité par Bryan Norris, Texas Instruments) est un ouvrage technique publié en 1977. Il se concentre sur les applications pratiques des semi-conducteurs, notamment les circuits intégrés MOS, les circuits bipolaires spécialisés, les transistors à effet de champ (FET) et les applications de puissance à haute fréquence. Cet ouvrage s'adresse aux ingénieurs et concepteurs électroniques cherchant des solutions de circuits concrets.
Note de contenu :	Les circuits intégrés MOS. Les circuits intégrés bipolaires à usage spécial. Les transistors à effet de champ (FET). Les applications de puissance à haute fréquence