| Titre : |
Applications des Transistors à effet de champ en arséniure de gallium |
| Type de document : |
texte imprimé |
| Auteurs : |
Soares, Robert-Alain, Auteur ; Obregon, Juan,, Auteur ; Graffeuil, Jacques,, Auteur |
| Editeur : |
EYROLLES |
| Année de publication : |
1984 |
| Importance : |
517 p |
| Présentation : |
ill |
| Format : |
25x15.5 cm |
| Langues : |
Français (fre) |
| Catégories : |
ELECTRONIQUE:07 Physique des dispositifs électroniques
|
| Mots-clés : |
Semiconducteurs à l'arséniure de gallium Transistors à effet de champ |
| Résumé : |
Les transistors à effet de champ en arséniure de gallium (GaAs FET/MESFET) sont cruciaux pour la haute fréquence et la haute vitesse grâce à leur grande mobilité électronique. Ils sont principalement utilisés dans les amplificateurs de puissance RF, les téléphones portables, les systèmes de communication par satellite, les radars et les circuits intégrés micro-ondes (MMIC). |
| Note de contenu : |
Télécommunications et Hyperfréquences : Ils sont omniprésents dans les stations de base de téléphonie mobile et les liaisons par satellite en raison de leur capacité à opérer à des fréquences très élevées.
Amplificateurs de puissance RF : Le GaAs permet de fabriquer des amplificateurs performants pour les équipements de communication sans fil, notamment les amplificateurs de faible bruit (LNA).
Radar et Défense : Utilisés dans les systèmes radar, y compris les radars anti-collision, grâce à leur robustesse et leur vitesse.
Optoélectronique : Le matériau GaAs est utilisé dans la fabrication de diodes laser et de photodétecteurs.
Circuits MMIC : Les MESFET sont des éléments de base dans les circuits intégrés monolithiques hyperfréquences (MMIC). |
Applications des Transistors à effet de champ en arséniure de gallium [texte imprimé] / Soares, Robert-Alain, Auteur ; Obregon, Juan,, Auteur ; Graffeuil, Jacques,, Auteur . - EYROLLES, 1984 . - 517 p : ill ; 25x15.5 cm. Langues : Français ( fre)
| Catégories : |
ELECTRONIQUE:07 Physique des dispositifs électroniques
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| Mots-clés : |
Semiconducteurs à l'arséniure de gallium Transistors à effet de champ |
| Résumé : |
Les transistors à effet de champ en arséniure de gallium (GaAs FET/MESFET) sont cruciaux pour la haute fréquence et la haute vitesse grâce à leur grande mobilité électronique. Ils sont principalement utilisés dans les amplificateurs de puissance RF, les téléphones portables, les systèmes de communication par satellite, les radars et les circuits intégrés micro-ondes (MMIC). |
| Note de contenu : |
Télécommunications et Hyperfréquences : Ils sont omniprésents dans les stations de base de téléphonie mobile et les liaisons par satellite en raison de leur capacité à opérer à des fréquences très élevées.
Amplificateurs de puissance RF : Le GaAs permet de fabriquer des amplificateurs performants pour les équipements de communication sans fil, notamment les amplificateurs de faible bruit (LNA).
Radar et Défense : Utilisés dans les systèmes radar, y compris les radars anti-collision, grâce à leur robustesse et leur vitesse.
Optoélectronique : Le matériau GaAs est utilisé dans la fabrication de diodes laser et de photodétecteurs.
Circuits MMIC : Les MESFET sont des éléments de base dans les circuits intégrés monolithiques hyperfréquences (MMIC). |
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