Caractérisation et nettoyage du silicium / Annie Baudrant

Public ISBD Titre : Caractérisation et nettoyage du silicium : caractérisation physico-chimique et nettoyage par voie humide Type de document : texte imprimé Auteurs : Annie Baudrant, Auteur Editeur : Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier Année de publication : 2003 Collection : EGEM Série Électronique et Micro-Électronique Importance : 218 p. Présentation : couv. ill.,ill. Format : 24,2 cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-0605-2 Langues : Français (fre) Catégories : SEMI CONDUCTEURS Index. décimale : 27-02 Physique et chimie des matériaux semi-conducteur Résumé : Depuis la réalisation du premier circuit intégré il y a plus de quarante ans, les étapes de fabrication en micro-électronique sont restées les mêmes. Les procédés ont cependant considérablement évolué, dans l'objectif de diminuer toutes les dimensions, pour intégrer toujours plus. Des techniques nouvelles et complexes se cachent aujourd'hui derrière un procédé de fabrication. Le présent ouvrage passe en revue l'ensemble des étapes élémentaires : nettoyage, dépôt métallique, dépôt de couche diélectrique, oxydation, dopage, gravure, lithographie. Sont également présentées les techniques de caractérisation, indispensables pour juger de la qualité des procédés. Chaque étape fait l'objet d'un chapitre : le procédé, les équipements et la physique des techniques y sont détaillés. Note de contenu : Sommaire Chapitre 1 Nettoyage du silicium en micro-électronique par voie humide 1.2 Sources de contamination lors de l'élaboration des circuits intégrés. 1.3 Effets des contaminants et de la rugosité sur une étape critique : l'oxyde de grille. 1.4 Objectifs en termes de propreté des tranches. 1.5 Mécanismes fondamentaux de retrait de la contamination par voie humide. 1.6 Mécanisme de redépôt de la contamination dans les bains. 1.7 Chimies des étapes de nettoyage utilisées pour les procédés front-end. 1.8 Exemples de séquences de nettoyages utilisées. 1.9 États physico-chimiques des surfaces après nettoyage. 1.11 Données utiles. Chapitre 2 Techniques de caractérisation physico-chimique Christophe Wyon. 2.2 Interactions physiques avec la matière. 2.3 Caractérisations physiques. 2.4 Caractérisation de la contamination. 2.5Conclusions générales. -Index Caractérisation et nettoyage du silicium : caractérisation physico-chimique et nettoyage par voie humide [texte imprimé] / Annie Baudrant, Auteur . - Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier, 2003 . - 218 p. : couv. ill.,ill. ; 24,2 cm.. - (EGEM Série Électronique et Micro-Électronique) . ISBN : 978-2-7462-0605-2 Langues : Français (fre) Catégories : SEMI CONDUCTEURS Index. décimale : 27-02 Physique et chimie des matériaux semi-conducteur Résumé : Depuis la réalisation du premier circuit intégré il y a plus de quarante ans, les étapes de fabrication en micro-électronique sont restées les mêmes. Les procédés ont cependant considérablement évolué, dans l'objectif de diminuer toutes les dimensions, pour intégrer toujours plus. Des techniques nouvelles et complexes se cachent aujourd'hui derrière un procédé de fabrication. Le présent ouvrage passe en revue l'ensemble des étapes élémentaires : nettoyage, dépôt métallique, dépôt de couche diélectrique, oxydation, dopage, gravure, lithographie. Sont également présentées les techniques de caractérisation, indispensables pour juger de la qualité des procédés. Chaque étape fait l'objet d'un chapitre : le procédé, les équipements et la physique des techniques y sont détaillés. Note de contenu : Sommaire Chapitre 1 Nettoyage du silicium en micro-électronique par voie humide 1.2 Sources de contamination lors de l'élaboration des circuits intégrés. 1.3 Effets des contaminants et de la rugosité sur une étape critique : l'oxyde de grille. 1.4 Objectifs en termes de propreté des tranches. 1.5 Mécanismes fondamentaux de retrait de la contamination par voie humide. 1.6 Mécanisme de redépôt de la contamination dans les bains. 1.7 Chimies des étapes de nettoyage utilisées pour les procédés front-end. 1.8 Exemples de séquences de nettoyages utilisées. 1.9 États physico-chimiques des surfaces après nettoyage. 1.11 Données utiles. Chapitre 2 Techniques de caractérisation physico-chimique Christophe Wyon. 2.2 Interactions physiques avec la matière. 2.3 Caractérisations physiques. 2.4 Caractérisation de la contamination. 2.5Conclusions générales. -Index

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1101	27-02-02	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt
1102	27-02-02	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt
1103	27-02-02	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt

Conception des dispositifs actifs hyperfréquences / Jean-Luc Gautier

Public ISBD Titre : Conception des dispositifs actifs hyperfréquences Type de document : texte imprimé Auteurs : Jean-Luc Gautier, Auteur Editeur : Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier Année de publication : 2014 Collection : EGEM Série Électronique et Micro-Électronique Importance : 436 p. Présentation : couv. ill.,ill. Format : 24 cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-4583-9 Langues : Français (fre) Catégories : TELECOMMUNICATION Index. décimale : 28-06 Hyperfréquences-ondes et composants Résumé : Cet ouvrage présente les méthodes de conception des principaux dispositifs actifs hyperfréquences. Le premier chapitre est consacré aux amplificateurs fonctionnant en régime linéaire. On présente les problématiques d’adaptation d’impédance bande étroite et large bande, de stabilité, de polarisation et de facteur de bruit ainsi que des topologies particulières telles que l’amplificateur distribué et l’amplificateur différentiel. Le second chapitre concerne le fonctionnement des amplificateurs de puissance. Les aspects spécifiques de rendement, adaptation d’impédance et de classe de fonctionnement sont présentés de même que les principales méthodes de linéarisation et d’amélioration du rendement. La transposition de fréquence fait l’objet du troisième chapitre. On présente le principe de fonctionnement ainsi que les différentes topologies utilisant les transistors et les diodes. Le quatrième chapitre est consacré au fonctionnement des oscillateurs à fréquence fixe et accordables tels que les VCO et YIG. Enfin le dernier chapitre présente les principales fonctions de contrôle que sont les atténuateurs, les déphaseurs et les commutateurs. Note de contenu : Sommaire Chapitre 1. Amplification en régime linéaire 1.1. Principes de l’amplification en hyperfréquences 1.2. Amplificateur bande étroite à gain maximum 1.3. Amplificateur faible bruit bande étroite 1.4. Configurations spécifiques à transistors 1.5. Amplification large bande 1.6. Amplificateur différentiel Chapitre 2. Amplification de puissance 2.1. Caractéristiques des amplificateurs de puissance 2.2. Analyse du fonctionnement d’un amplificateur de puissance 2.3. Classes de fonctionnement 2.4. Architectures des amplificateurs de puissance 2.5. Exemple de conception d’un amplificateur en classe B 2.6. Linéarisation et amélioration du rendement Chapitre 3. Transposition de fréquence 3.1. Principe de fonctionnement 3.2. Caractéristiques des mélangeurs 3.3. Fonctionnement d’un mélangeur simple 3.4. Topologies équilibrées 3.5. Topologies de mélangeurs passifs et actifs 3.6. Multiplicateurs de fréquence Chapitre 4. Oscillateurs 4.1. Principes de fonctionnement 4.2. Analyse des oscillateurs de type dipôle 4.3. Caractéristiques des oscillateurs 4.4. Impédance à partie réelle négative 4.5. Oscillateurs à fréquence fixe 4.6. Oscillateurs accordables électroniquement Chapitre 5. Fonctions de contrôle 5.1. Composants semi-conducteurs pour les fonctions de contrôle 5.2. Atténuateurs variables 5.3. Déphaseurs variables 5.4. Commutateurs 5.5. Bibliographie Annexe 1. Quadripôles sans pertes : désadaptation Annexe 2. Amplificateur équilibré et bruit Annexe 3. Configurations spécifiques à transistors Annexe 4. Adaptation d’impédance large bande : quadripôles réactifs Annexe 5. Adaptation d’impédance large bande : quadripôles dissipatifs Annexe 6. Amplification large bande : contre-réaction résistive parallèle Annexe 7. Méthode graphique Annexe 8. Amplificateur distribué Annexe 9. Amplificateur différentiel Annexe 10. Intermodulation d’ordre 3 Index Conception des dispositifs actifs hyperfréquences [texte imprimé] / Jean-Luc Gautier, Auteur . - Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier, 2014 . - 436 p. : couv. ill.,ill. ; 24 cm.. - (EGEM Série Électronique et Micro-Électronique) . ISBN : 978-2-7462-4583-9 Langues : Français (fre) Catégories : TELECOMMUNICATION Index. décimale : 28-06 Hyperfréquences-ondes et composants Résumé : Cet ouvrage présente les méthodes de conception des principaux dispositifs actifs hyperfréquences. Le premier chapitre est consacré aux amplificateurs fonctionnant en régime linéaire. On présente les problématiques d’adaptation d’impédance bande étroite et large bande, de stabilité, de polarisation et de facteur de bruit ainsi que des topologies particulières telles que l’amplificateur distribué et l’amplificateur différentiel. Le second chapitre concerne le fonctionnement des amplificateurs de puissance. Les aspects spécifiques de rendement, adaptation d’impédance et de classe de fonctionnement sont présentés de même que les principales méthodes de linéarisation et d’amélioration du rendement. La transposition de fréquence fait l’objet du troisième chapitre. On présente le principe de fonctionnement ainsi que les différentes topologies utilisant les transistors et les diodes. Le quatrième chapitre est consacré au fonctionnement des oscillateurs à fréquence fixe et accordables tels que les VCO et YIG. Enfin le dernier chapitre présente les principales fonctions de contrôle que sont les atténuateurs, les déphaseurs et les commutateurs. Note de contenu : Sommaire Chapitre 1. Amplification en régime linéaire 1.1. Principes de l’amplification en hyperfréquences 1.2. Amplificateur bande étroite à gain maximum 1.3. Amplificateur faible bruit bande étroite 1.4. Configurations spécifiques à transistors 1.5. Amplification large bande 1.6. Amplificateur différentiel Chapitre 2. Amplification de puissance 2.1. Caractéristiques des amplificateurs de puissance 2.2. Analyse du fonctionnement d’un amplificateur de puissance 2.3. Classes de fonctionnement 2.4. Architectures des amplificateurs de puissance 2.5. Exemple de conception d’un amplificateur en classe B 2.6. Linéarisation et amélioration du rendement Chapitre 3. Transposition de fréquence 3.1. Principe de fonctionnement 3.2. Caractéristiques des mélangeurs 3.3. Fonctionnement d’un mélangeur simple 3.4. Topologies équilibrées 3.5. Topologies de mélangeurs passifs et actifs 3.6. Multiplicateurs de fréquence Chapitre 4. Oscillateurs 4.1. Principes de fonctionnement 4.2. Analyse des oscillateurs de type dipôle 4.3. Caractéristiques des oscillateurs 4.4. Impédance à partie réelle négative 4.5. Oscillateurs à fréquence fixe 4.6. Oscillateurs accordables électroniquement Chapitre 5. Fonctions de contrôle 5.1. Composants semi-conducteurs pour les fonctions de contrôle 5.2. Atténuateurs variables 5.3. Déphaseurs variables 5.4. Commutateurs 5.5. Bibliographie Annexe 1. Quadripôles sans pertes : désadaptation Annexe 2. Amplificateur équilibré et bruit Annexe 3. Configurations spécifiques à transistors Annexe 4. Adaptation d’impédance large bande : quadripôles réactifs Annexe 5. Adaptation d’impédance large bande : quadripôles dissipatifs Annexe 6. Amplification large bande : contre-réaction résistive parallèle Annexe 7. Méthode graphique Annexe 8. Amplificateur distribué Annexe 9. Amplificateur différentiel Annexe 10. Intermodulation d’ordre 3 Index

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3655	28-06-16	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt
3656	28-06-16	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt
3657	28-06-16	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt

Conception logique et physique des systèmes monopuces / Ahmed-Amine Jerraya

Public ISBD Titre : Conception logique et physique des systèmes monopuces Type de document : texte imprimé Auteurs : Ahmed-Amine Jerraya, Auteur Editeur : Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier Année de publication : 2002 Collection : EGEM Série Électronique et Micro-Électronique Importance : 246 p. Présentation : couv. ill.,ill. Format : 24,2 cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-0434-8 Langues : Français (fre) Catégories : SEMI CONDUCTEURS Index. décimale : 27-05 Microélectronique Résumé : La conjonction de l'évolution des technologies de fabrication des circuits intégrés et de la nature du marché des systèmes électroniques fait que l'on est amené à concevoir des circuits de plus en plus complexes (plusieurs millions) de transistors en un temps de plus en plus court (quelques mois). Ce phénomène a entraîné une métamorphose du processus de conception. Si le principe de la conception reste le même (il s'agit de générer une réalisation physique sous forme d'une puce en partant d'une spécification système), les outils mis en oeuvre et l'organisation du travail durant le processus de conception ont, en revanche, beaucoup évolué. Ainsi, on est passé de la conception où l'on dessinait les masques du circuit sur du papier spécial, à une conception quasi automatique qui part d'une description du comportement du circuit sous forme d'un programme dans un langage de haut niveau. Cet ouvrage a pour but de décrire les méthodes et les outils d'aide à la conception logique et physique des systèmes électroniques digitaux intégrés. Le chapitre 2 présente les fondements de la synthèse de circuits logiques à partir de modèles écrits dans des langages de description de matériel (VHDL / Verilog). Le lecteur aura ainsi les connaissances nécessaires pour devenir un utilisateur averti des outils de synthèse logique et un concepteur-programmeur. Le chapitre suivant est consacré à la conception physique, l'étape ultime dans une chaîne de conception de circuits intégrés, celle de l'implémentation en vue de l'obtention des dessins de masques servant à la fabrication du circuit intégré. Ses principales méthodologies (placement et routage automatiques, synthèse automatique d'arbre d'horloge, etc.) seront donc décrites ainsi que les différentes étapes de la vérification physique (extraction des composants parasites, etc.). L'accroissement en complexité des circuits intégrés et la nécessité croissante de réduire les temps de mise sur le marché exigent la mise en place d'une stratégie de test de la qualité du produit fini. Le chapitre 4 traite du test des circuits en décrivant les concepts et les outils nécessaires à la mise en place d'une telle stratégie. Le concept de communication asynchrone, très en vogue en ce moment, repose sur le concept de découplage des différents modules constituant un système. Ce principe, qui est à la base de toutes les approches modulaires développées pour maîtriser la complexité, peut amener des solutions plus efficaces en termes de performance et de consommation. Les concepts qui régissent le fonctionnement et l'implémentation des circuits asynchrones sont présentés dans le chapitre 5 ainsi que les formalismes et les méthodes utilisés pour la synthèse de circuits asynchrones. En conclusion, le lecteur trouvera une liste des principaux outils de CAO de circuits et systèmes existants. Le chapitre 6 passe en revue quelques outils du commerce s'intégrant dans le flot de conception des circuits et systèmes, en mettant l'accent en particulier sur les outils et les nouvelles méthodes de conception à base d'IP (composants virtuels ou «propriété intellectuelle». Note de contenu : Sommaire Chapitre 1 De l'idée au produit Chapitre 2 La conception logique Chapitre 3 La conception physique : placement, routage et vérification du layout Chapitre 4 Le test Chapitre 5 La conception de systèmes asynchrones Chapitre 6 Les outils de CAO de circuits et de systèmes Index. Conception logique et physique des systèmes monopuces [texte imprimé] / Ahmed-Amine Jerraya, Auteur . - Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier, 2002 . - 246 p. : couv. ill.,ill. ; 24,2 cm.. - (EGEM Série Électronique et Micro-Électronique) . ISBN : 978-2-7462-0434-8 Langues : Français (fre) Catégories : SEMI CONDUCTEURS Index. décimale : 27-05 Microélectronique Résumé : La conjonction de l'évolution des technologies de fabrication des circuits intégrés et de la nature du marché des systèmes électroniques fait que l'on est amené à concevoir des circuits de plus en plus complexes (plusieurs millions) de transistors en un temps de plus en plus court (quelques mois). Ce phénomène a entraîné une métamorphose du processus de conception. Si le principe de la conception reste le même (il s'agit de générer une réalisation physique sous forme d'une puce en partant d'une spécification système), les outils mis en oeuvre et l'organisation du travail durant le processus de conception ont, en revanche, beaucoup évolué. Ainsi, on est passé de la conception où l'on dessinait les masques du circuit sur du papier spécial, à une conception quasi automatique qui part d'une description du comportement du circuit sous forme d'un programme dans un langage de haut niveau. Cet ouvrage a pour but de décrire les méthodes et les outils d'aide à la conception logique et physique des systèmes électroniques digitaux intégrés. Le chapitre 2 présente les fondements de la synthèse de circuits logiques à partir de modèles écrits dans des langages de description de matériel (VHDL / Verilog). Le lecteur aura ainsi les connaissances nécessaires pour devenir un utilisateur averti des outils de synthèse logique et un concepteur-programmeur. Le chapitre suivant est consacré à la conception physique, l'étape ultime dans une chaîne de conception de circuits intégrés, celle de l'implémentation en vue de l'obtention des dessins de masques servant à la fabrication du circuit intégré. Ses principales méthodologies (placement et routage automatiques, synthèse automatique d'arbre d'horloge, etc.) seront donc décrites ainsi que les différentes étapes de la vérification physique (extraction des composants parasites, etc.). L'accroissement en complexité des circuits intégrés et la nécessité croissante de réduire les temps de mise sur le marché exigent la mise en place d'une stratégie de test de la qualité du produit fini. Le chapitre 4 traite du test des circuits en décrivant les concepts et les outils nécessaires à la mise en place d'une telle stratégie. Le concept de communication asynchrone, très en vogue en ce moment, repose sur le concept de découplage des différents modules constituant un système. Ce principe, qui est à la base de toutes les approches modulaires développées pour maîtriser la complexité, peut amener des solutions plus efficaces en termes de performance et de consommation. Les concepts qui régissent le fonctionnement et l'implémentation des circuits asynchrones sont présentés dans le chapitre 5 ainsi que les formalismes et les méthodes utilisés pour la synthèse de circuits asynchrones. En conclusion, le lecteur trouvera une liste des principaux outils de CAO de circuits et systèmes existants. Le chapitre 6 passe en revue quelques outils du commerce s'intégrant dans le flot de conception des circuits et systèmes, en mettant l'accent en particulier sur les outils et les nouvelles méthodes de conception à base d'IP (composants virtuels ou «propriété intellectuelle». Note de contenu : Sommaire Chapitre 1 De l'idée au produit Chapitre 2 La conception logique Chapitre 3 La conception physique : placement, routage et vérification du layout Chapitre 4 Le test Chapitre 5 La conception de systèmes asynchrones Chapitre 6 Les outils de CAO de circuits et de systèmes Index.

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645	27-05-03	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt
646	27-05-03	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt
647	27-05-03	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt
823	27-05-03	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt

Diélectriques ferroélectriques intégrés sur silicium / Collectif

Public ISBD Titre : Diélectriques ferroélectriques intégrés sur silicium Type de document : texte imprimé Auteurs : Collectif, Auteur ; Emmanuel Defay, Directeur de la recherche Editeur : Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier Année de publication : 2011 Collection : EGEM Série Électronique et Micro-Électronique Importance : 455 p. Présentation : ill. Format : 23,9 cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-2562-6 Langues : Français (fre) Catégories : ELECTRONIQUE Index. décimale : 09-04 Technologie de composants Résumé : Ce livre est dédié à l'intégration des matériaux diélectriques ferroélectriques dans la technologie silicium. Il s'agit principalement de matériaux issus de la famille des matériaux pérovskites qui présentent des propriétés électriques remarquables : permittivité diélectrique très élevée, effet mémoire (ferroélectricité), piézoélectricité, électrostriction. Bien que ces matériaux soient bien maîtrisés à l'état de céramique, les couches minces et notamment celles sur le silicium, le sont beaucoup moins. Ces dix dernières années ont vu une progression technologique sans précédent quant à l'intégration de ces matériaux diélectriques sur le silicium et notamment pour les microsystèmes. Cet ouvrage est ainsi dédié à la description de ces matériaux à travers un traitement thermodynamique particulièrement développé pour le cas des couches minces, les technologies mises en jeu pour arriver à les synthétiser, les caractérisations spécifiques utilisées et finalement, la description de plusieurs réalisations technologies abouties. Note de contenu : Table des matières Préface. Chapitre 1. L'approche thermodynamique. Chapitre 2. Effet des contraintes sur les couches minces. Chapitre 3. Technologies de dépôts et mise en forme. Chapitre 4. Analyse par diffraction des rayons X de films minces polycristallins. Chapitre 5. Caractérisation physico-chimique et électrique. Chapitre 6. Caractérisation radio-fréquence. Chapitre 7. Courants de fuite dans les condensateurs PZT. Chapitre 8. Capacités intégrées. Chapitre 9. Fiabilité des condensateurs PZT. Chapitre 10. Capacités variables ferroélectriques. Chapitre 11. Mémoires ferroélectriques FRAM : principe, limitations, innovations et applications. -Index. Diélectriques ferroélectriques intégrés sur silicium [texte imprimé] / Collectif, Auteur ; Emmanuel Defay, Directeur de la recherche . - Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier, 2011 . - 455 p. : ill. ; 23,9 cm.. - (EGEM Série Électronique et Micro-Électronique) . ISBN : 978-2-7462-2562-6 Langues : Français (fre) Catégories : ELECTRONIQUE Index. décimale : 09-04 Technologie de composants Résumé : Ce livre est dédié à l'intégration des matériaux diélectriques ferroélectriques dans la technologie silicium. Il s'agit principalement de matériaux issus de la famille des matériaux pérovskites qui présentent des propriétés électriques remarquables : permittivité diélectrique très élevée, effet mémoire (ferroélectricité), piézoélectricité, électrostriction. Bien que ces matériaux soient bien maîtrisés à l'état de céramique, les couches minces et notamment celles sur le silicium, le sont beaucoup moins. Ces dix dernières années ont vu une progression technologique sans précédent quant à l'intégration de ces matériaux diélectriques sur le silicium et notamment pour les microsystèmes. Cet ouvrage est ainsi dédié à la description de ces matériaux à travers un traitement thermodynamique particulièrement développé pour le cas des couches minces, les technologies mises en jeu pour arriver à les synthétiser, les caractérisations spécifiques utilisées et finalement, la description de plusieurs réalisations technologies abouties. Note de contenu : Table des matières Préface. Chapitre 1. L'approche thermodynamique. Chapitre 2. Effet des contraintes sur les couches minces. Chapitre 3. Technologies de dépôts et mise en forme. Chapitre 4. Analyse par diffraction des rayons X de films minces polycristallins. Chapitre 5. Caractérisation physico-chimique et électrique. Chapitre 6. Caractérisation radio-fréquence. Chapitre 7. Courants de fuite dans les condensateurs PZT. Chapitre 8. Capacités intégrées. Chapitre 9. Fiabilité des condensateurs PZT. Chapitre 10. Capacités variables ferroélectriques. Chapitre 11. Mémoires ferroélectriques FRAM : principe, limitations, innovations et applications. -Index.

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3014	09-04-13	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt
3015	09-04-13	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt

Dispositifs hyperfréquences actifs et passifs / Daniel Pasquet

Public ISBD Titre : Dispositifs hyperfréquences actifs et passifs : dispositifs passifs réciproques et à ondes de surface Type de document : texte imprimé Auteurs : Daniel Pasquet, Auteur Editeur : Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier Année de publication : 2005 Collection : EGEM Série Électronique et Micro-Électronique Importance : 295 p. Présentation : couv. ill.,ill. Format : 24 cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-0957-2 Langues : Français (fre) Catégories : TELECOMMUNICATION Index. décimale : 28-06 Hyperfréquences-ondes et composants Résumé : Cet ouvrage traite de trois grandes catégories de dispositifs utilisés en hyperfréquences : les dispositifs passifs réciproques, les dispositifs à ondes élastiques de surface et les tubes. Les dispositifs passifs réciproques qui sont décrits sont les circuits qu'on retrouve dans les différentes technologies planaires hybrides et monolithiques. Ceux-ci ne remplissent pas toutes les fonctions passives qu'on peut rencontrer dans les appareils, en particulier dans le domaine des télécommunications mobiles. Les dispositifs à ondes élastiques de surface sont largement utilisés. Leur principe et leurs applications sont détaillées dans la deuxième partie de l'ouvrage. À l'autre extrémité, les dispositifs de puissance actifs sont encore constitués de tubes. Cette technologie, en pleine évolution, reste incontournable pour un grand nombre d'applications. Pour être complet, les dispositifs semi-conducteurs utilisés en hyperfréquences font l'objet d'un second ouvrage. Note de contenu : Sommaire Chapitre 1 Dispositifs passifs réciproque 1.2 Analyse de réseaux et modes de propagation pair et impair. 1.3 Le diviseur de Wilkinson. 1.4 Les coupleurs hybrides. 1.5 Les coupleurs à ligne parallèles. 1.6 Les filtres hyperfréquences. Chapitre 2 Dispositifs à ondes élastiques de surface 2.2 Propriétés physiques fondamentales des ondes élastiques de surface 2.3 Transducteurs à électrodes digitées 2.4 Résonateurs 2.5 Dispositifs Chapitre 3 Les tubes 3.1 Notions générales et applications. 3.2 Principes de base et définitions. 3.3 Tubes à grilles 3.4 Klystrons. 3.5 Tubes à ondes progressives. 3.6Magnétrons. 3.7 Gyrotrons. 3.8 Programmes d'interaction pour klystrons et TOP. 3.9 Technologies-clés. 3.10 Conclusion. Dispositifs hyperfréquences actifs et passifs : dispositifs passifs réciproques et à ondes de surface [texte imprimé] / Daniel Pasquet, Auteur . - Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier, 2005 . - 295 p. : couv. ill.,ill. ; 24 cm.. - (EGEM Série Électronique et Micro-Électronique) . ISBN : 978-2-7462-0957-2 Langues : Français (fre) Catégories : TELECOMMUNICATION Index. décimale : 28-06 Hyperfréquences-ondes et composants Résumé : Cet ouvrage traite de trois grandes catégories de dispositifs utilisés en hyperfréquences : les dispositifs passifs réciproques, les dispositifs à ondes élastiques de surface et les tubes. Les dispositifs passifs réciproques qui sont décrits sont les circuits qu'on retrouve dans les différentes technologies planaires hybrides et monolithiques. Ceux-ci ne remplissent pas toutes les fonctions passives qu'on peut rencontrer dans les appareils, en particulier dans le domaine des télécommunications mobiles. Les dispositifs à ondes élastiques de surface sont largement utilisés. Leur principe et leurs applications sont détaillées dans la deuxième partie de l'ouvrage. À l'autre extrémité, les dispositifs de puissance actifs sont encore constitués de tubes. Cette technologie, en pleine évolution, reste incontournable pour un grand nombre d'applications. Pour être complet, les dispositifs semi-conducteurs utilisés en hyperfréquences font l'objet d'un second ouvrage. Note de contenu : Sommaire Chapitre 1 Dispositifs passifs réciproque 1.2 Analyse de réseaux et modes de propagation pair et impair. 1.3 Le diviseur de Wilkinson. 1.4 Les coupleurs hybrides. 1.5 Les coupleurs à ligne parallèles. 1.6 Les filtres hyperfréquences. Chapitre 2 Dispositifs à ondes élastiques de surface 2.2 Propriétés physiques fondamentales des ondes élastiques de surface 2.3 Transducteurs à électrodes digitées 2.4 Résonateurs 2.5 Dispositifs Chapitre 3 Les tubes 3.1 Notions générales et applications. 3.2 Principes de base et définitions. 3.3 Tubes à grilles 3.4 Klystrons. 3.5 Tubes à ondes progressives. 3.6Magnétrons. 3.7 Gyrotrons. 3.8 Programmes d'interaction pour klystrons et TOP. 3.9 Technologies-clés. 3.10 Conclusion.

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Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
3671	28-06-18	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt
3672	28-06-18	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt

Imagerie médicale à base de champ magnétique et d'ultrasons / André Briguet

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Imagerie médicale à base de photons / Hervé Fanet

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Matériaux piézoélectriques intégrés sur silicium / Emmanuel Defay

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Mesures en hyperfréquences / Daniel Pasquet

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Micro et nanosystèmes autonomes en énergie / Marc Belleville

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Modélisation, caractérisation et mesures de circuits intégrés passifs RF / Pierre Saguet

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Modélisation du transistor bipolaire intégré T. 1 / Philippe Cazenave

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Modélisation du transistor bipolaire intégré T. 2 / Philippe Cazenave

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Packaging avancé sur silicium / Gilles Poupon

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Traitement des puces électroniques et nouveaux procédés d'interconnexion / Gilles Poupon

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