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Titre : Analyse numérique en électromagnétisme : la méthode TLM Type de document : texte imprimé Auteurs : Pierre Saguet, Auteur Editeur : Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier Année de publication : 2012 Collection : Micro et Nano Électronique et Systèmes Importance : 168 p. Présentation : couv. ill. en coul., ill. Format : 23,4 cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-3121-4 Langues : Français (fre) Catégories : ELECTROTECHNIQUE Index. décimale : 10-06 Electromagnétisme Résumé : La méthode TLM (Transmission Line Matrix) permet de résoudre un problème d'électromagnétisme et d'analyser le comportement de certains milieux. Il s'agit d'un outil performant qui bénéficie d'un développement important. Sa capacité à simuler avec précision des situations variées incluant des matériaux complexes est démontrée. Cet ouvrage en expose les bases théoriques et les principaux développements. La méthode historique en deux et trois dimensions et les dernières évolutions y sont détaillées pour aboutir aux noeuds sophistiqués les plus utilisés. Les simulations des milieux fermés et ouverts sont traitées et en particulier les frontières absorbantes (PML) pour les milieux ouverts. L'introduction d'éléments passifs ou actifs, la simulation de fils minces, la simulation des milieux dispersifs comme les plasmas ou les ferrites par l'utilisation de la transformée en Z sont étudiées. Note de contenu : Table des matiéres:
Chapitre 1. Les bases de la méthode TLM : la méthode TLM 2D.
Chapitre 2. Les noeuds en trois dimensions.
Chapitre 3. Introduction d'éléments discrets et de fils minces dans la méthode TLM.
Chapitre 4. La méthode TLM sous forme matricielle et la transformée en Z.
Annexes.
A.1. Développement des équations de Maxwell en utilisant la transformée en Z avec un maillage variable.
A.2. Traitement du plasma par la technique de la transformée en Z pour la méthode TLM.
Bibliographie.
Index.Analyse numérique en électromagnétisme : la méthode TLM [texte imprimé] / Pierre Saguet, Auteur . - Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier, 2012 . - 168 p. : couv. ill. en coul., ill. ; 23,4 cm.. - (Micro et Nano Électronique et Systèmes) .
ISBN : 978-2-7462-3121-4
Langues : Français (fre)
Catégories : ELECTROTECHNIQUE Index. décimale : 10-06 Electromagnétisme Résumé : La méthode TLM (Transmission Line Matrix) permet de résoudre un problème d'électromagnétisme et d'analyser le comportement de certains milieux. Il s'agit d'un outil performant qui bénéficie d'un développement important. Sa capacité à simuler avec précision des situations variées incluant des matériaux complexes est démontrée. Cet ouvrage en expose les bases théoriques et les principaux développements. La méthode historique en deux et trois dimensions et les dernières évolutions y sont détaillées pour aboutir aux noeuds sophistiqués les plus utilisés. Les simulations des milieux fermés et ouverts sont traitées et en particulier les frontières absorbantes (PML) pour les milieux ouverts. L'introduction d'éléments passifs ou actifs, la simulation de fils minces, la simulation des milieux dispersifs comme les plasmas ou les ferrites par l'utilisation de la transformée en Z sont étudiées. Note de contenu : Table des matiéres:
Chapitre 1. Les bases de la méthode TLM : la méthode TLM 2D.
Chapitre 2. Les noeuds en trois dimensions.
Chapitre 3. Introduction d'éléments discrets et de fils minces dans la méthode TLM.
Chapitre 4. La méthode TLM sous forme matricielle et la transformée en Z.
Annexes.
A.1. Développement des équations de Maxwell en utilisant la transformée en Z avec un maillage variable.
A.2. Traitement du plasma par la technique de la transformée en Z pour la méthode TLM.
Bibliographie.
Index.Exemplaires(2)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 2914 10-06-48 Livre Bibliothèque de Génie Electrique- USTO Documentaires Exclu du prêt 2915 10-06-48 Livre Bibliothèque de Génie Electrique- USTO Documentaires Exclu du prêt
Titre : Analyse des systèmes linéaires Type de document : texte imprimé Auteurs : Philippe De Larminat, Auteur Editeur : Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier Année de publication : 2002 Collection : Traité IC2 Systèmes Automatisés Importance : 266 p. Présentation : couv. ill.,ill. Format : 24,1 cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-0491-1 Langues : Français (fre) Catégories : AUTOMATISME Index. décimale : 25-04 Théorie des systèmes:systèmes asservis Analyse des systèmes linéaires [texte imprimé] / Philippe De Larminat, Auteur . - Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier, 2002 . - 266 p. : couv. ill.,ill. ; 24,1 cm.. - (Traité IC2 Systèmes Automatisés) .
ISBN : 978-2-7462-0491-1
Langues : Français (fre)
Catégories : AUTOMATISME Index. décimale : 25-04 Théorie des systèmes:systèmes asservis Exemplaires(3)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 1034 25-04-33 Livre Bibliothèque de Génie Electrique- USTO Documentaires Exclu du prêt 1035 25-04-33 Livre Bibliothèque de Génie Electrique- USTO Documentaires Exclu du prêt 1036 25-04-33 Livre Bibliothèque de Génie Electrique- USTO Documentaires Exclu du prêt
Titre : Caractérisation et nettoyage du silicium : caractérisation physico-chimique et nettoyage par voie humide Type de document : texte imprimé Auteurs : Annie Baudrant, Auteur Editeur : Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier Année de publication : 2003 Collection : EGEM Série Électronique et Micro-Électronique Importance : 218 p. Présentation : couv. ill.,ill. Format : 24,2 cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-0605-2 Langues : Français (fre) Catégories : SEMI CONDUCTEURS Index. décimale : 27-02 Physique et chimie des matériaux semi-conducteur Résumé : Depuis la réalisation du premier circuit intégré il y a plus de quarante ans, les étapes de fabrication en micro-électronique sont restées les mêmes. Les procédés ont cependant considérablement évolué, dans l'objectif de diminuer toutes les dimensions, pour intégrer toujours plus. Des techniques nouvelles et complexes se cachent aujourd'hui derrière un procédé de fabrication. Le présent ouvrage passe en revue l'ensemble des étapes élémentaires : nettoyage, dépôt métallique, dépôt de couche diélectrique, oxydation, dopage, gravure, lithographie. Sont également présentées les techniques de caractérisation, indispensables pour juger de la qualité des procédés. Chaque étape fait l'objet d'un chapitre : le procédé, les équipements et la physique des techniques y sont détaillés. Note de contenu : Sommaire
Chapitre 1 Nettoyage du silicium en micro-électronique par voie humide
1.2 Sources de contamination lors de l'élaboration des circuits intégrés.
1.3 Effets des contaminants et de la rugosité sur une étape critique : l'oxyde de grille.
1.4 Objectifs en termes de propreté des tranches.
1.5 Mécanismes fondamentaux de retrait de la contamination par voie humide.
1.6 Mécanisme de redépôt de la contamination dans les bains.
1.7 Chimies des étapes de nettoyage utilisées pour les procédés front-end.
1.8 Exemples de séquences de nettoyages utilisées.
1.9 États physico-chimiques des surfaces après nettoyage.
1.11 Données utiles.
Chapitre 2 Techniques de caractérisation physico-chimique Christophe Wyon.
2.2 Interactions physiques avec la matière.
2.3 Caractérisations physiques.
2.4 Caractérisation de la contamination.
2.5Conclusions générales.
-IndexCaractérisation et nettoyage du silicium : caractérisation physico-chimique et nettoyage par voie humide [texte imprimé] / Annie Baudrant, Auteur . - Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier, 2003 . - 218 p. : couv. ill.,ill. ; 24,2 cm.. - (EGEM Série Électronique et Micro-Électronique) .
ISBN : 978-2-7462-0605-2
Langues : Français (fre)
Catégories : SEMI CONDUCTEURS Index. décimale : 27-02 Physique et chimie des matériaux semi-conducteur Résumé : Depuis la réalisation du premier circuit intégré il y a plus de quarante ans, les étapes de fabrication en micro-électronique sont restées les mêmes. Les procédés ont cependant considérablement évolué, dans l'objectif de diminuer toutes les dimensions, pour intégrer toujours plus. Des techniques nouvelles et complexes se cachent aujourd'hui derrière un procédé de fabrication. Le présent ouvrage passe en revue l'ensemble des étapes élémentaires : nettoyage, dépôt métallique, dépôt de couche diélectrique, oxydation, dopage, gravure, lithographie. Sont également présentées les techniques de caractérisation, indispensables pour juger de la qualité des procédés. Chaque étape fait l'objet d'un chapitre : le procédé, les équipements et la physique des techniques y sont détaillés. Note de contenu : Sommaire
Chapitre 1 Nettoyage du silicium en micro-électronique par voie humide
1.2 Sources de contamination lors de l'élaboration des circuits intégrés.
1.3 Effets des contaminants et de la rugosité sur une étape critique : l'oxyde de grille.
1.4 Objectifs en termes de propreté des tranches.
1.5 Mécanismes fondamentaux de retrait de la contamination par voie humide.
1.6 Mécanisme de redépôt de la contamination dans les bains.
1.7 Chimies des étapes de nettoyage utilisées pour les procédés front-end.
1.8 Exemples de séquences de nettoyages utilisées.
1.9 États physico-chimiques des surfaces après nettoyage.
1.11 Données utiles.
Chapitre 2 Techniques de caractérisation physico-chimique Christophe Wyon.
2.2 Interactions physiques avec la matière.
2.3 Caractérisations physiques.
2.4 Caractérisation de la contamination.
2.5Conclusions générales.
-IndexExemplaires(3)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 1101 27-02-02 Livre Bibliothèque de Génie Electrique- USTO Documentaires Exclu du prêt 1102 27-02-02 Livre Bibliothèque de Génie Electrique- USTO Documentaires Exclu du prêt 1103 27-02-02 Livre Bibliothèque de Génie Electrique- USTO Documentaires Exclu du prêt
Titre : Chimie en microélectronique Type de document : texte imprimé Auteurs : Yannick Le Tiec, Auteur Editeur : Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier Année de publication : 2013 Collection : Micro et Nano Électronique et Systèmes Importance : 384 p. Présentation : couv. ill. en en coul Format : 23,7 cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-3918-0 Langues : Français (fre) Catégories : SEMI CONDUCTEURS Index. décimale : 27-02 Physique et chimie des matériaux semi-conducteur Résumé : La microélectronique est un monde complexe dans lequel plusieurs sciences comme la physique, l’électronique, l’optique ou la mécanique, contribuent à créer des nano-objets fonctionnels. La chimie est particulièrement impliquée dans de nombreux domaines tels que la synthèse des matériaux, la pureté des fluides, des gaz, des sels, le suivi des réactions chimiques et de leurs équilibres ainsi que la préparation de surfaces optimisées et la gravure sélective de couches spécifiques. Au cours des dernières décennies, la taille des transistors s’est considérablement réduite et la fonctionnalité des circuits électroniques s’est accrue. Cette évolution a conduit à une interpénétration de la chimie et de la microélectronique exposée dans cet ouvrage.
Chimie en microélectronique présente les chimies et les séquences utilisées lors des procédés de production de la microélectronique, des nettoyages jusqu’aux gravures des plaquettes de silicium, du rôle et de l’impact de leur niveau de pureté jusqu’aux procédés d’interconnexion des millions de transistors composant un circuit électronique. Afin d’illustrer la convergence avec le domaine de la santé, l’ouvrage expose les nouvelles fonctionnalisations spécifiques, tels que les capteurs biologiques ou les capteurs sur la personne.Note de contenu : Table des matières
Chapitre 1. La chimie en Front End Of the Line (FEOL) : dépôts, empilements de grilles, épitaxies et contacts
1.2. Empilements de grilles.
1.3. La chimie impliquée dans les matériaux cristallins.
1.4. Les contacts au niveau de la grille et des zones « Source » et « Drain ».
Chapitre 2. La chimie dans les interconnexions
2.2. Interconnexions : généralités et historiques.
2.3. Dépôts des diélectriques.
2.4. Dépôt et propriétés des couches métalliques pour les structures d’interconnexions.
2.5. Procédé de nettoyage des interconnexions cuivre.
Chapitre 3. Chimie de la préparation des surfaces par voie humide : nettoyage, attaque chimique et séchage
3.2. Nettoyage.
3.3. Attaque chimique par voie humide.
3.4. Rinçage et séchage
Chapitre 4. Utilisation et gestion des fluides chimiques en microélectronique
4.1. Eau ultrapure (EUP).
4.2. L’utilisation des gaz dans la microélectronique.
4.3. Gaz dissous.
4.4. Produits chimiques de haute pureté.
4.5. Gestion des déchets.
4.6. Notations.
Chapitre 5. Fonctionnalisation des surfaces pour micros et nanosystèmes :application pour capteurs chimiques et biologiques
5.2. Matériaux.
5.3. Procédé de fonctionnalisation.
5.4. Immobilisation de molécules et macromolécules.
5.5. Applications
Conclusion.
Bibliographie.
Liste des abréviations.
Index.Chimie en microélectronique [texte imprimé] / Yannick Le Tiec, Auteur . - Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier, 2013 . - 384 p. : couv. ill. en en coul ; 23,7 cm.. - (Micro et Nano Électronique et Systèmes) .
ISBN : 978-2-7462-3918-0
Langues : Français (fre)
Catégories : SEMI CONDUCTEURS Index. décimale : 27-02 Physique et chimie des matériaux semi-conducteur Résumé : La microélectronique est un monde complexe dans lequel plusieurs sciences comme la physique, l’électronique, l’optique ou la mécanique, contribuent à créer des nano-objets fonctionnels. La chimie est particulièrement impliquée dans de nombreux domaines tels que la synthèse des matériaux, la pureté des fluides, des gaz, des sels, le suivi des réactions chimiques et de leurs équilibres ainsi que la préparation de surfaces optimisées et la gravure sélective de couches spécifiques. Au cours des dernières décennies, la taille des transistors s’est considérablement réduite et la fonctionnalité des circuits électroniques s’est accrue. Cette évolution a conduit à une interpénétration de la chimie et de la microélectronique exposée dans cet ouvrage.
Chimie en microélectronique présente les chimies et les séquences utilisées lors des procédés de production de la microélectronique, des nettoyages jusqu’aux gravures des plaquettes de silicium, du rôle et de l’impact de leur niveau de pureté jusqu’aux procédés d’interconnexion des millions de transistors composant un circuit électronique. Afin d’illustrer la convergence avec le domaine de la santé, l’ouvrage expose les nouvelles fonctionnalisations spécifiques, tels que les capteurs biologiques ou les capteurs sur la personne.Note de contenu : Table des matières
Chapitre 1. La chimie en Front End Of the Line (FEOL) : dépôts, empilements de grilles, épitaxies et contacts
1.2. Empilements de grilles.
1.3. La chimie impliquée dans les matériaux cristallins.
1.4. Les contacts au niveau de la grille et des zones « Source » et « Drain ».
Chapitre 2. La chimie dans les interconnexions
2.2. Interconnexions : généralités et historiques.
2.3. Dépôts des diélectriques.
2.4. Dépôt et propriétés des couches métalliques pour les structures d’interconnexions.
2.5. Procédé de nettoyage des interconnexions cuivre.
Chapitre 3. Chimie de la préparation des surfaces par voie humide : nettoyage, attaque chimique et séchage
3.2. Nettoyage.
3.3. Attaque chimique par voie humide.
3.4. Rinçage et séchage
Chapitre 4. Utilisation et gestion des fluides chimiques en microélectronique
4.1. Eau ultrapure (EUP).
4.2. L’utilisation des gaz dans la microélectronique.
4.3. Gaz dissous.
4.4. Produits chimiques de haute pureté.
4.5. Gestion des déchets.
4.6. Notations.
Chapitre 5. Fonctionnalisation des surfaces pour micros et nanosystèmes :application pour capteurs chimiques et biologiques
5.2. Matériaux.
5.3. Procédé de fonctionnalisation.
5.4. Immobilisation de molécules et macromolécules.
5.5. Applications
Conclusion.
Bibliographie.
Liste des abréviations.
Index.Exemplaires(3)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 3617 27-02-03 Livre Bibliothèque de Génie Electrique- USTO Documentaires Exclu du prêt 3618 27-02-03 Livre Bibliothèque de Génie Electrique- USTO Documentaires Exclu du prêt 3619 27-02-03 Livre Bibliothèque de Génie Electrique- USTO Documentaires Exclu du prêt
Titre : commande floue T. 2 : de l'approximation a l'apprentissage Type de document : texte imprimé Auteurs : Laurent Foulloy, Auteur ; Sylvie Galichet, Auteur ; André Titli, Auteur Editeur : Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier Année de publication : 2003 Collection : Traité IC2 Systèmes Automatisés Importance : 192 p. Présentation : couv. ill.,ill. Format : 24,2 cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-0609-0 Langues : Français (fre) Catégories : AUTOMATISME Index. décimale : 25-02 Théorie et traitement du signal Résumé : Ce volume analyse la modélisation des systèmes dynamiques. Chaque chapitre est centré sur des approches utilisant des concepts traditionnels de l'automatique. Le premier chapitre introduit les propriétés d'approximation universelle des systèmes flous et présente quelques résultats essentiels qui mettent en évidence le lien entre cette propriété et la modélisation des systèmes. Le deuxième chapitre s'intéresse à une approche structurale de la modélisation floue à partir de données utilisant, d'une part, différentes méthodes de classification floue et, d'autre part, une méthode incrémentale par ajout de fonctions d'appartenance. Le troisième chapitre développe une approche paramétrique de la modélisation sur la base de modèles locaux. Le quatrième chapitre traite de l'apprentissage par renforcement et montre comment cette technique peut être utilisée pour l'optimisation de systèmes flous destinés à la commande de systèmes dynamiques. Note de contenu : Sommaire
-Introduction
Chapitre 1 Propriété d'approximation des systèmes flous
Chapitre 2 Modélisation floue : approche structurale
Chapitre 3 Identification des systèmes dynamiques non linéaires : approche multimodèle
Chapitre 4 Apprentissage par renforcement. Application aux systèmes d'inférence floue
-Index.commande floue T. 2 : de l'approximation a l'apprentissage [texte imprimé] / Laurent Foulloy, Auteur ; Sylvie Galichet, Auteur ; André Titli, Auteur . - Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier, 2003 . - 192 p. : couv. ill.,ill. ; 24,2 cm.. - (Traité IC2 Systèmes Automatisés) .
ISBN : 978-2-7462-0609-0
Langues : Français (fre)
Catégories : AUTOMATISME Index. décimale : 25-02 Théorie et traitement du signal Résumé : Ce volume analyse la modélisation des systèmes dynamiques. Chaque chapitre est centré sur des approches utilisant des concepts traditionnels de l'automatique. Le premier chapitre introduit les propriétés d'approximation universelle des systèmes flous et présente quelques résultats essentiels qui mettent en évidence le lien entre cette propriété et la modélisation des systèmes. Le deuxième chapitre s'intéresse à une approche structurale de la modélisation floue à partir de données utilisant, d'une part, différentes méthodes de classification floue et, d'autre part, une méthode incrémentale par ajout de fonctions d'appartenance. Le troisième chapitre développe une approche paramétrique de la modélisation sur la base de modèles locaux. Le quatrième chapitre traite de l'apprentissage par renforcement et montre comment cette technique peut être utilisée pour l'optimisation de systèmes flous destinés à la commande de systèmes dynamiques. Note de contenu : Sommaire
-Introduction
Chapitre 1 Propriété d'approximation des systèmes flous
Chapitre 2 Modélisation floue : approche structurale
Chapitre 3 Identification des systèmes dynamiques non linéaires : approche multimodèle
Chapitre 4 Apprentissage par renforcement. Application aux systèmes d'inférence floue
-Index.Exemplaires(1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 3350 25-02-99 Livre Bibliothèque de Génie Electrique- USTO Documentaires Exclu du prêt PermalinkPermalinkPermalinkPermalinkPermalinkPermalinkPermalinkPermalinkPermalinkPermalink
