Modélisation du transistor bipolaire intégré 1 dispositifs au silicium / Philippe CAZENAVE / HERMES-SCIENCE (2004)

Public ISBD Aucun avis sur cette notice. Faire une suggestion d'achat Titre : Modélisation du transistor bipolaire intégré 1 dispositifs au silicium Type de document : texte imprimé Auteurs : Philippe CAZENAVE, Auteur Editeur : HERMES-SCIENCE Année de publication : 2004 ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-0987-9 Langues : Français (fre) Catégories : SEMI-CONDUCTEURS:Propriétés éléctriques des composants à semi-conducteur (transistor-diode) Index. décimale : 27-04 Propriétés éléctriques des composants à semi-conducteur (transistor-diode) Modélisation du transistor bipolaire intégré 1 dispositifs au silicium [texte imprimé] / Philippe CAZENAVE, Auteur . - HERMES-SCIENCE, 2004. ISBN : 978-2-7462-0987-9 Langues : Français (fre) Catégories : SEMI-CONDUCTEURS:Propriétés éléctriques des composants à semi-conducteur (transistor-diode) Index. décimale : 27-04 Propriétés éléctriques des composants à semi-conducteur (transistor-diode)

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Code-barres	type de document	numéro d'inventaire	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
00001000060697	27-04-0019	Livre	Salle 2	Documentaires	Exclu du prêt		000

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