Applications des transistors a effet de champ en arséniure de gallium / R. SOARES / Eyrolles (1984)

Public ISBD Aucun avis sur cette notice. Faire une suggestion d'achat Titre : Applications des transistors a effet de champ en arséniure de gallium Type de document : texte imprimé Auteurs : R. SOARES, Auteur ; J. OBREGON, Auteur ; J. GRAFFEUIL, Auteur Editeur : Eyrolles Année de publication : 1984 Collection : collection technique et scientifique des télécommunications Importance : 517 p. Format : 24 cm. Langues : Français (fre) Catégories : ELECTRONIQUE:Physique des dispositifs éléctroniques Mots-clés : MESFET ,GaAS ,TEC ,hyperfréquences , arséniure de gallium Index. décimale : 09-07 Physique des dispositifs éléctroniques Résumé : sommaire : Hiostoire et perpectives du MESFET GaAs Le transistor à effet de champ et à barriére schottky sur arséniure de gallium concepts de base et technique de caractérisation Amplificaateurs bas niveau à transistors à effet de champ Amplification MESFET GaAs de puissance Les distorsions dans les amplificateurs GaAs MESFET Les oscillateurs Ciruits intégrés logiques à MESFET GaAs Conception assistée par ordinateur Intégration monlithique des amplificateurs hyperfréquences Transistor à gaz d'électrons bi- dimensionnel : applications en hyperfréquences et en logique rapide Applications des GaAs MESFET dans les systémes Applications des transistors a effet de champ en arséniure de gallium [texte imprimé] / R. SOARES, Auteur ; J. OBREGON, Auteur ; J. GRAFFEUIL, Auteur . - Eyrolles, 1984 . - 517 p. ; 24 cm.. - (collection technique et scientifique des télécommunications) . Langues : Français (fre) Catégories : ELECTRONIQUE:Physique des dispositifs éléctroniques Mots-clés : MESFET ,GaAS ,TEC ,hyperfréquences , arséniure de gallium Index. décimale : 09-07 Physique des dispositifs éléctroniques Résumé : sommaire : Hiostoire et perpectives du MESFET GaAs Le transistor à effet de champ et à barriére schottky sur arséniure de gallium concepts de base et technique de caractérisation Amplificaateurs bas niveau à transistors à effet de champ Amplification MESFET GaAs de puissance Les distorsions dans les amplificateurs GaAs MESFET Les oscillateurs Ciruits intégrés logiques à MESFET GaAs Conception assistée par ordinateur Intégration monlithique des amplificateurs hyperfréquences Transistor à gaz d'électrons bi- dimensionnel : applications en hyperfréquences et en logique rapide Applications des GaAs MESFET dans les systémes

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Code-barres	type de document	numéro d'inventaire	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
00001000214567	09-07-0008	Livre	Salle 2	Documentaires	Exclu du prêt		10222

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